本文關鍵詞：基于石墨烯-ZnO納米線的復合電極在GaN LED中的應用，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：使用一維ZnO納米線和二維石墨烯復合結構集成到p-GaN表面來同時實現(xiàn)電流擴展和提高LED光提取效率。通過兩組有無ZnO納米線器件的對比,發(fā)現(xiàn)ZnO納米線使器件的光提取效率提高了30%.通過分析兩組器件的開啟電壓、工作電壓和反向漏電流等關鍵參數(shù),驗證了本結構應用于GaN LED不會惡化其電性能。本文所采用的復合結構用于GaN LED,同時達到了良好歐姆接觸、避免使用ITO和增強出光的效果。
【作者單位】： 鄭州航空工業(yè)管理學院理學院;國家知識產(chǎn)權局專利局專利審查協(xié)作河南中心;北京工業(yè)大學電控學院;
【關鍵詞】： 氧化鋅 氮化鎵LED 石墨烯 透明導電層
【基金】：國家自然科學基金(61274012,51472221);國家自然科學基金青年基金(11404291) 航空科學基金(2014ZF55013,2015ZF55013)資助項目
【分類號】：TN312.8;TB383.1
【正文快照】： 1引言在固態(tài)照明、信號燈、大屏幕展示等領域,Ga N基LED的地位越來越重要,因其抗震擊、低能耗、長壽命、高亮度等特性,逐漸取代了傳統(tǒng)光源[1-4]。但是由于目前Ga N材料生長技術的限制,Ga N的p型摻雜濃度無法做到很高,加上空穴的遷移率低,p-Ga N的導電性很差,需要使用外加的透

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本文編號：454859