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641. 中高溫GaN插入層厚度對(duì)藍(lán)光LED光電性能的影響
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642. 低源流量Delta摻雜p型GaN外延薄膜的研究
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643. 納米柱結(jié)構(gòu)增強(qiáng)GaN基綠光LED內(nèi)量子效率的研究
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644. 三維生長溫度對(duì)非故意摻雜GaN外延層性能的影響
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645. GaN基Ⅲ族氮化物外延生長及相關(guān)器件的研究
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646. 壘溫對(duì)硅襯底GaN基藍(lán)光LED發(fā)光效率的影響
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647. MOCVD反應(yīng)室流場(chǎng)分析及其對(duì)GaN生長的影響
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648. Virtual Source模型模擬分析GaN基電子器件特性研究
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649. 壘結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底GaN基綠光LED性能的影響
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650. GaN基電子器件小信號(hào)等效電路參數(shù)提取與分析
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