本文關(guān)鍵詞：MOCVD反應(yīng)室流場(chǎng)分析及其對(duì)GaN生長(zhǎng)的影響　出處：《西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： GaN 金屬有機(jī)[化合物]CVD 反應(yīng)室結(jié)構(gòu) 反應(yīng)動(dòng)力學(xué)

【摘要】：為了優(yōu)化設(shè)計(jì)金屬有機(jī)[化合物]CVD反應(yīng)室,以生長(zhǎng)出高質(zhì)量的GaN材料,對(duì)一種垂直噴淋式金屬有機(jī)[化合物]CVD系統(tǒng)中生長(zhǎng)GaN材料的生長(zhǎng)過程進(jìn)行了模擬.模擬結(jié)果表明,反應(yīng)室中襯底石墨基座的旋轉(zhuǎn)速度和反應(yīng)室的高度對(duì)GaN生長(zhǎng)過程中的氣相傳輸過程和材料質(zhì)量均有影響.隨著基座旋轉(zhuǎn)速度的升高,反應(yīng)室內(nèi)部的流場(chǎng)分布趨向均勻,襯底表面的氣體流速變快,GaN生長(zhǎng)速率升高,并且厚度均勻性也變好,但是速度超過一定限度后會(huì)使生長(zhǎng)速率降低;在同樣的生長(zhǎng)條件下,反應(yīng)室的高度越高,反應(yīng)室內(nèi)部的流場(chǎng)分布越均勻,這有利于提高材料的均勻性,同時(shí)GaN生長(zhǎng)速率先降低后升高,但氣相傳輸中的氣相預(yù)反應(yīng)會(huì)逐漸增強(qiáng).
[Abstract]:In order to optimize the design of metal and organic. [Compounds] CVD reaction chamber to grow high quality GaN materials, a vertical spray metal-organic. [The growth process of GaN materials in compound] CVD system was simulated. The rotation rate of the substrate graphite base and the height of the reaction chamber have an effect on the gas phase transport process and the material quality during the growth of GaN. The flow field in the reaction chamber tends to be uniform, the gas flow rate on the substrate surface increases rapidly and the thickness uniformity increases, but when the velocity exceeds a certain limit, the growth rate decreases. Under the same growth conditions, the higher the height of the reaction chamber, the more uniform the flow field distribution in the reaction chamber, which is conducive to improve the homogeneity of the material, while the growth rate of GaN decreases first and then increases. However, the gas phase prereaction in gas phase transport will gradually increase.
【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61334002) 國家重大科技專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2011ZX01002-001)
【分類號(hào)】：TN304
【正文快照】： GaN是重要的寬帶隙半導(dǎo)體材料,在光電器件、高功率器件等眾多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用.金屬有機(jī)[化合物]CVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)方法是制備GaN材料的主要手段之一.在金屬有機(jī)[化合物]CVD系統(tǒng)中進(jìn)行GaN材料的生長(zhǎng),各種生長(zhǎng)參數(shù)以及金屬有機(jī)[化合物]CVD

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1416041