本文關(guān)鍵詞：MOCVD反應室流場分析及其對GaN生長的影響　出處：《西安電子科技大學學報》2017年01期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： GaN 金屬有機[化合物]CVD 反應室結(jié)構(gòu) 反應動力學

【摘要】：為了優(yōu)化設計金屬有機[化合物]CVD反應室,以生長出高質(zhì)量的GaN材料,對一種垂直噴淋式金屬有機[化合物]CVD系統(tǒng)中生長GaN材料的生長過程進行了模擬.模擬結(jié)果表明,反應室中襯底石墨基座的旋轉(zhuǎn)速度和反應室的高度對GaN生長過程中的氣相傳輸過程和材料質(zhì)量均有影響.隨著基座旋轉(zhuǎn)速度的升高,反應室內(nèi)部的流場分布趨向均勻,襯底表面的氣體流速變快,GaN生長速率升高,并且厚度均勻性也變好,但是速度超過一定限度后會使生長速率降低;在同樣的生長條件下,反應室的高度越高,反應室內(nèi)部的流場分布越均勻,這有利于提高材料的均勻性,同時GaN生長速率先降低后升高,但氣相傳輸中的氣相預反應會逐漸增強.
[Abstract]:In order to optimize the design of metal and organic. [Compounds] CVD reaction chamber to grow high quality GaN materials, a vertical spray metal-organic. [The growth process of GaN materials in compound] CVD system was simulated. The rotation rate of the substrate graphite base and the height of the reaction chamber have an effect on the gas phase transport process and the material quality during the growth of GaN. The flow field in the reaction chamber tends to be uniform, the gas flow rate on the substrate surface increases rapidly and the thickness uniformity increases, but when the velocity exceeds a certain limit, the growth rate decreases. Under the same growth conditions, the higher the height of the reaction chamber, the more uniform the flow field distribution in the reaction chamber, which is conducive to improve the homogeneity of the material, while the growth rate of GaN decreases first and then increases. However, the gas phase prereaction in gas phase transport will gradually increase.
【作者單位】： 西安電子科技大學機電工程學院;西安電子科技大學微電子學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61334002) 國家重大科技專項資助項目(2011ZX01002-001)
【分類號】：TN304
【正文快照】： GaN是重要的寬帶隙半導體材料,在光電器件、高功率器件等眾多領(lǐng)域有著廣泛的應用.金屬有機[化合物]CVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)方法是制備GaN材料的主要手段之一.在金屬有機[化合物]CVD系統(tǒng)中進行GaN材料的生長,各種生長參數(shù)以及金屬有機[化合物]CVD

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 于海群;;GaN沉積的化學反應動力學進展[J];材料導報;2012年17期

2 王國斌;張永紅;王懷兵;;氮化鎵生長反應模型與數(shù)值模擬研究(I)[J];人工晶體學報;2010年S1期

3 許晟瑞;段煥濤;郝躍;張進城;張金鳳;倪金玉;胡仕剛;李志明;;(1■02)r面藍寶石生長的(11■0)a面氮化鎵研究[J];西安電子科技大學學報;2009年06期

【共引文獻】

相關(guān)期刊論文 前6條

1 馮蘭勝;過潤秋;張進成;;MOCVD反應室流場分析及其對GaN生長的影響[J];西安電子科技大學學報;2017年01期

2 馮蘭勝;過潤秋;張進成;;垂直式MOCVD中生長參數(shù)對GaN材料生長的影響[J];西安電子科技大學學報;2016年05期

3 馮蘭勝;過潤秋;張進成;;GaN薄膜外延過程的動力學蒙特卡洛仿真[J];西安電子科技大學學報;2016年03期

4 楊揚;李培咸;周小偉;賈文博;趙曉云;;Mg注入非極性a面GaN退火溫度的研究[J];電子科技;2013年01期

5 梁建;王曉寧;張華;劉海瑞;王曉斌;許并社;;Zn摻雜Z形GaN納米線的制備及表征[J];人工晶體學報;2012年01期

6 張雷;邵永亮;吳擁中;張浩東;郝霄鵬;蔣民華;;HVPE生長室氣流分布模擬及GaCl載氣流量對GaN單晶生長的影響[J];人工晶體學報;2011年04期

【二級參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 顏建鋒;張潔;郭麗偉;朱學亮;彭銘曾;賈海強;陳弘;周均銘;;r面藍寶石襯底上采用兩步AlN緩沖層法外延生長a面GaN薄膜及應力研究[J];半導體學報;2007年10期

2 張進城,郝躍,王沖,王峰祥;基于藍寶石襯底的高性能AlGaN/GaN二維電子氣材料與HEMT器件[J];半導體學報;2004年10期

3 張金鳳,郝躍;AlGaN/GaN中二維電子氣研究新進展[J];西安電子科技大學學報;2003年03期

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 楊基南;氣體等離子體腐蝕的真空問題[J];微細加工技術(shù);1984年01期

2 柳貞;;專利文摘[J];真空電子技術(shù);1986年04期

3 景俊海,孫青,孫建誠,付俊興;反應室結(jié)構(gòu)與工藝參數(shù)對光CVD SiO_2薄膜均勻性的影響[J];半導體技術(shù);1989年06期

4 王飛;尹盛;王家鑫;陳亮亮;;直流氬等離子體硅粉純化工藝的研究[J];功能材料;2007年08期

5 李海玲;張書玲;孫艷勤;;MOVPE反應室電磁場的有限元模擬與分析[J];科技視界;2014年14期

6 景俊海,孫青,孫建誠,付俊興;反應室結(jié)構(gòu)與工藝參數(shù)對PVD SiO_2薄膜均勻性的影響[J];微電子學;1989年04期

7 孟兆祥,于廣輝,葉好華,雷本亮,李存才,齊鳴,李愛珍;水平HVPE反應器中氣流動力學模擬與GaN生長[J];功能材料與器件學報;2003年04期

8 李效白;GaAs和InP基HFET工藝中的選擇腐蝕技術(shù)(續(xù))[J];半導體情報;2000年05期

9 趙勇明;陳貴鋒;陳雷英;馬曉薇;白云娜;李養(yǎng)賢;;垂直式HVPE生長GaN材料的數(shù)值模擬[J];半導體技術(shù);2008年S1期

10 倪金玉;郝躍;張進成;楊林安;;生長壓力對GaN薄膜生長速率和結(jié)構(gòu)特性的影響[J];科學通報;2009年09期

相關(guān)會議論文 前2條

1 尹盛;王敬義;趙亮;趙伯芳;;一種新型反應室的分析與實驗[A];第六屆中國功能材料及其應用學術(shù)會議論文集（10）[C];2007年

2 趙勇明;陳貴鋒;陳雷英;馬曉薇;白云娜;李養(yǎng)賢;;垂直式HVPE生長GaN材料的數(shù)值模擬[A];第十五屆全國化合物半導體材料，微波器件和光電器件學術(shù)會議論文集[C];2008年

相關(guān)碩士學位論文 前10條

1 郭鑫;SiC外延生長加熱系統(tǒng)熱場分析[D];西安電子科技大學;2011年

2 杜德娟;大型多反應室煤礦乏風預熱催化氧化器的工作過程仿真[D];山東理工大學;2013年

3 孟兆祥;用于GaN材料制備的HVPE外延系統(tǒng)反應室模擬[D];中國科學院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2003年

4 朱銘;反應室氣壓調(diào)節(jié)對Mg摻雜GaN的影響[D];大連理工大學;2013年

5 翟靜會;垂直式HVPE系統(tǒng)制備GaN襯底材料的數(shù)值模擬研究[D];河北工業(yè)大學;2011年

6 張茂平;低溫等離子體增強電子束蒸發(fā)沉積TiN的研究[D];華南師范大學;2007年

7 劉韻;內(nèi)循環(huán)厭氧反應器流場數(shù)值模擬與結(jié)構(gòu)優(yōu)化[D];南昌大學;2013年

8 王飛;新型表面刻蝕裝置的設計[D];華中科技大學;2007年

9 郭靜靜;PMOCVD生長InAIN的計算流體動力學模擬研究[D];西安電子科技大學;2014年

10 劉羽;二氧化碳接觸池氣液兩相流場的CFD模擬及優(yōu)化研究[D];湖南大學;2011年

，

本文編號：1416041