本文關(guān)鍵詞：低源流量Delta摻雜p型GaN外延薄膜的研究

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【摘要】：利用金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)在藍寶石襯底上制備了GaN∶Mg薄膜。首先,對Delta摻雜p型GaN的摻雜源流量進行優(yōu)化研究,研究發(fā)現(xiàn)在較低46cm~3/min的CP_2Mg源流量下,晶體質(zhì)量和導(dǎo)電性能都有所改善,獲得了較高空穴濃度,為8.73×10~(17) cm~(-3),(002)和(102)面FWHM分別為245和316arcsec。隨后,采用XRD、Hall測試、PL以及AFM研究了在生長過程中加入生長停頓對Delta摻雜p型GaN材料特性的影響,發(fā)現(xiàn)加入生長停頓后,樣品電學(xué)特性、光學(xué)特性和晶體質(zhì)量并未得到改善,反而下降。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院光電子技術(shù)省部共建教育部重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 薄膜 p型GaN Delta摻雜 低源流量 金屬有機物化學(xué)氣相沉積
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61204011,11204009,6107026);國家自然科學(xué)基金重點基金項目(U103760) 北京市自然科學(xué)基金項目(4142005)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 0引言GaN基材料應(yīng)用于高功率、高溫和高頻電子器件以及高亮度發(fā)光二極管(LED),其研究發(fā)展面臨的重要瓶頸是p型GaN摻雜的控制。僅對于LED來說,獲得良好的歐姆接觸、降低器件電壓以及p型GaN層的成功制備都非常必要,良好的p型GaN層能夠為有源層提供電子復(fù)合所需的足夠高的空穴濃，

本文編號：812549