本文關(guān)鍵詞：低源流量Delta摻雜p型GaN外延薄膜的研究

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【摘要】：利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上制備了GaN∶Mg薄膜。首先,對(duì)Delta摻雜p型GaN的摻雜源流量進(jìn)行優(yōu)化研究,研究發(fā)現(xiàn)在較低46cm~3/min的CP_2Mg源流量下,晶體質(zhì)量和導(dǎo)電性能都有所改善,獲得了較高空穴濃度,為8.73×10~(17) cm~(-3),(002)和(102)面FWHM分別為245和316arcsec。隨后,采用XRD、Hall測(cè)試、PL以及AFM研究了在生長(zhǎng)過(guò)程中加入生長(zhǎng)停頓對(duì)Delta摻雜p型GaN材料特性的影響,發(fā)現(xiàn)加入生長(zhǎng)停頓后,樣品電學(xué)特性、光學(xué)特性和晶體質(zhì)量并未得到改善,反而下降。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 薄膜 p型GaN Delta摻雜 低源流量 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61204011,11204009,6107026);國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)基金項(xiàng)目(U103760) 北京市自然科學(xué)基金項(xiàng)目(4142005)
【分類(lèi)號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 0引言GaN基材料應(yīng)用于高功率、高溫和高頻電子器件以及高亮度發(fā)光二極管(LED),其研究發(fā)展面臨的重要瓶頸是p型GaN摻雜的控制。僅對(duì)于LED來(lái)說(shuō),獲得良好的歐姆接觸、降低器件電壓以及p型GaN層的成功制備都非常必要,良好的p型GaN層能夠?yàn)橛性磳犹峁╇娮訌?fù)合所需的足夠高的空穴濃，

本文編號(hào)：812549