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531. GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED的n型電極結(jié)構(gòu)設(shè)計及芯片制備
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532. PSS側(cè)壁弧度優(yōu)化及對GaN基LED出光效率的影響
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533. 面向高效紫外發(fā)光器件的GaN量子點的MOCVD生長及性能研究
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534. 硅基與藍(lán)寶石襯底上的GaN-LEDs性能差異分析
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535. 原位沉積的SiN_x插入層對GaN晶體結(jié)構(gòu)及形貌的影響
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536. 圖形化藍(lán)寶石襯底摻雜漸變GaN肖特基型紫外探測器
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537. 阱區(qū)結(jié)構(gòu)對硅襯底GaN基LED器件光電性能影響的研究
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538. GaN基FP-HEMT器件的新結(jié)構(gòu)與解析模型研究
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539. 提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測GaN HEMT結(jié)溫準(zhǔn)確度的方法
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540. GaN基紫外LED多量子阱勢阱層材料生長條件的研究
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