本文選題：圖形化藍(lán)寶石襯底　切入點(diǎn)：氮化鎵肖特基型紫外探測(cè)器　出處：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在圖形化藍(lán)寶石襯底摻雜漸變的氮化鎵(GaN)外延片上制備了肖特基型紫外探測(cè)器。與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)器件相比,該器件表現(xiàn)出顯著改善的電學(xué)和光學(xué)特性:(1)室溫下,當(dāng)偏壓為-5V時(shí)具有極低的暗電流密度~1.3×10-8 A/cm~2;(2)在零偏壓情況下,紫外/可見光抑制比為~4.2×10~3,最高的響應(yīng)度為~0.147A/W,最大外量子效率為~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均開啟和關(guān)閉瞬態(tài)響應(yīng)常數(shù)分別為115μs和120μs,基本不隨偏壓變化,且具有很好的熱穩(wěn)定性;(4)零偏壓下熱噪聲限制的極限探測(cè)率為~5.5×10~(13)cm·Hz~(1/2)/W。
[Abstract]:Schottky type UV detectors have been fabricated on a patterned sapphire substrate doped with graded gallium nitride (gan) epitaxial wafers. Compared with the conventional devices, the devices exhibit significantly improved electrical and optical properties at room temperature. When the bias voltage is -5 V, there is a very low dark current density of 1.3 脳 10 ~ (-8) A / cm ~ (2 +) at zero bias. The UV / VIS suppression ratio is 4.2 脳 10 ~ (-3), the highest responsivity is 0.147 A / W, and the maximum external quantum efficiency is 50.7, even in the deep ultraviolet band, the average quantum efficiency is larger than that of 40 ~ (3)) the transient response constants on and off are 115 渭 s and 120 渭 s, respectively, and basically do not change with bias. The limit detectivity of thermal noise limit under zero bias voltage is 5.5 脳 10 ~ (10) ~ (13) cm 路Hz ~ (2 / W).
【作者單位】： 物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)應(yīng)用教育部工程研究中心江南大學(xué)電子工程系;無錫中微掩模電子有限公司;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61504050) 江蘇省自然科學(xué)基金資助資助項(xiàng)目(BK20130156,BK20140168,BK20150158) 2015年度普通高校研究生科研創(chuàng)新計(jì)劃項(xiàng)目(KYLX15_1195)
【分類號(hào)】：TN23

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