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提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測GaN HEMT結(jié)溫準(zhǔn)確度的方法

發(fā)布時間:2018-04-14 23:22

  本文選題:熱學(xué) + 瞬態(tài)紅外。 參考:《中國測試》2017年05期


【摘要】:用高空間分辨率測溫技術(shù)與瞬態(tài)紅外設(shè)備測溫結(jié)果結(jié)合的方法提高瞬態(tài)紅外設(shè)備對GaN HEMT結(jié)溫檢測的準(zhǔn)確度。對GaN HEMT隨脈沖工作條件的結(jié)溫變化規(guī)律進(jìn)行分析,證明脈沖條件下器件各個位置的瞬時溫度與平均溫度呈線性關(guān)系;依據(jù)上述關(guān)系,采用各個位置的平均溫度(高空間分辨率)對瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測結(jié)果進(jìn)行修正,有效提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測GaN HEMT時的準(zhǔn)確度。用有限元仿真結(jié)果驗證上述方法的準(zhǔn)確性。根據(jù)該方法,用高空間分辨率的顯微紅外測溫結(jié)果對瞬態(tài)紅外設(shè)備測溫結(jié)果進(jìn)行修正,實現(xiàn)2.8μm空間分辨率的瞬態(tài)溫度檢測。該方法可以有效提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測GaN HEMT結(jié)溫結(jié)果的準(zhǔn)確度。
[Abstract]:The accuracy of GaN HEMT junction temperature detection is improved by combining the high spatial resolution temperature measurement technique with the transient infrared device temperature measurement results.The variation law of junction temperature of GaN HEMT with pulse working condition is analyzed, and it is proved that the instantaneous temperature and average temperature of the device are linearly related to each position of the device under the pulse condition, according to the above relation,The average temperature of each position (high spatial resolution) is used to modify the detection results of transient infrared equipment, which can effectively improve the accuracy of transient infrared equipment in detecting GaN HEMT.The accuracy of the method is verified by finite element simulation.According to this method, the transient temperature measurement of 2.8 渭 m spatial resolution is realized by modifying the transient infrared temperature measurement results with high spatial resolution micro-infrared temperature measurement results.This method can effectively improve the accuracy of GaN HEMT junction temperature detection by transient infrared equipment.
【作者單位】: 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所計量中心;
【分類號】:TN386

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本文編號:1751489

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