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521. 基于GaN納米線鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管及相關(guān)電性能
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522. 基于LPCVD-SiNx介質(zhì)的GaN基器件界面特性研究
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523. Ka波段GaN HEMT單片集成單刀雙擲開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)
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524. 表面等離激元提高GaN基材料與器件發(fā)光效率研究
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525. GaN基Ka波段HEMT器件及MMIC功率放大器研究
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526. 基于紅外測(cè)溫的GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)函數(shù)法熱阻測(cè)量
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527. GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)、物性研究和器件應(yīng)用
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528. 高壓大功率GaN器件開(kāi)關(guān)過(guò)程振蕩問(wèn)題分析及應(yīng)用設(shè)計(jì)研究
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529. 不同支撐載體對(duì)GaN基LED薄膜應(yīng)力及發(fā)光性能的影響
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530. 紫外光照射下GaN的電化學(xué)性質(zhì)及CMP應(yīng)用
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