本文選題：電化學(xué)腐蝕 + GaN　； 參考：《微納電子技術(shù)》2017年12期

【摘要】：通過電化學(xué)工作站對2英寸(1英寸=2.54 cm)n型GaN晶圓進(jìn)行了研究,結(jié)合X62型單面拋光機(jī)研究GaN電化學(xué)腐蝕與化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的一致性,并利用原子力顯微鏡(AFM)檢測拋光后晶片的表面形貌。結(jié)果表明:采用H_2O_2和NaClO作為氧化劑時(shí),GaN的腐蝕速率與氧化劑的體積分?jǐn)?shù)呈反比,在固定H2O2體積分?jǐn)?shù)的情況下,GaN腐蝕速率呈現(xiàn)酸性溶液優(yōu)于堿性溶液、同時(shí)二者均優(yōu)于中性溶液的現(xiàn)象。使用X62型單面拋光機(jī)對上述電化學(xué)腐蝕結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證,得到與其相一致的規(guī)律,在體積分?jǐn)?shù)為1%的H_2O_2和pH=5的情況下,GaN的去除速率最高,達(dá)到380.3 nm/h,同時(shí)拋光后的GaN表面粗糙度達(dá)到0.063 nm,掃描范圍為5μm×5μm。研究表明電化學(xué)腐蝕和化學(xué)機(jī)械拋光具有一定的一致性,在實(shí)際應(yīng)用中具有一定的借鑒意義。
[Abstract]:Two inch (1 inch or 2.54 cm) n) gan wafers were studied by electrochemical workstation, and the consistency between electrochemical corrosion and chemical mechanical polishing (CMP) was studied with X62 single-sided polishing machine. Atomic force microscopy (AFM) was used to detect the surface morphology of polished wafer. The results show that the corrosion rate of GaN is inversely proportional to the volume fraction of oxidant when H _ 2O _ 2 and NaClO are used as oxidant, and the corrosion rate of gan is better than that of alkaline solution when H _ 2O _ 2 is fixed. At the same time, both of them are superior to the phenomenon of neutral solution. The results of electrochemical corrosion were verified by using X62 single side polishing machine. The results were consistent with the results. The removal rate of gan was the highest at 1% H _ 2O _ 2 and pH ~ (5) by volume fraction. The surface roughness of the polished gan is 0.063 nm and the scanning range is 5 渭 m 脳 5 渭 m. The results show that electrochemical corrosion and chemical-mechanical polishing are consistent, and can be used for reference in practical application.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：河北省高層次人才資助項(xiàng)目百人計(jì)劃項(xiàng)目(E2013100006) 河北省科技計(jì)劃資助項(xiàng)目(15211017D)
【分類號】：TN304.2

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本文編號：2095346