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411. GaN基光電陰極的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備研究
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412. 增強(qiáng)型GaN功率器件柵驅(qū)動(dòng)技術(shù)設(shè)計(jì)考慮
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413. 等離子增強(qiáng)原子層沉積低溫生長(zhǎng)GaN薄膜
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414. GaN基太赫茲耿氏二極管新結(jié)構(gòu)研究
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415. 硅襯底GaN基LED薄膜芯片的應(yīng)力調(diào)制
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416. MOVPE生長(zhǎng)GaN薄膜的表面吸附和擴(kuò)散研究
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417. 微波毫米波GaN HEMT大信號(hào)模型研究
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418. 梯度摻雜GaN光電陰極的光譜響應(yīng)測(cè)試與分析
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419. Ce摻雜GaN納米結(jié)構(gòu)的制備及物性研究
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420. 硅基GaN外延膜生長(zhǎng)與LED性能提升研究
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