本文關(guān)鍵詞：增強型GaN功率器件柵驅(qū)動技術(shù)設(shè)計考慮　出處：《電力電子技術(shù)》2017年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：GaN晶體管相對于MOSFET器件有更小的導(dǎo)通電阻和柵電荷,在高速、高功率密度應(yīng)用中獨具優(yōu)勢。但增強型GaN器件存在自身獨特的物理特性,包括最大柵壓限制、閾值電壓偏低和存在反向?qū)妷旱�。因�?柵驅(qū)動電路需要針對器件特性進(jìn)行定制化設(shè)計。在此首先重點分析GaN器件在高速開關(guān)過程中存在的主要問題及解決方案,然后詳細(xì)描述基于HHNEC 0.35μm CD工藝設(shè)計完成的一款80 V高壓半橋GaN柵驅(qū)動電路,驗證相關(guān)驅(qū)動技術(shù)的正確性。由仿真和測試結(jié)果可見,驅(qū)動信號具有良好的延遲特性和小的電壓過沖,能夠很好地滿足相關(guān)應(yīng)用需求。
[Abstract]:Compared to the GaN transistor MOSFET device has smaller turn-on resistance and gate charge, in high speed, the unique advantages of high power density applications. But the enhanced GaN device has its own unique physical characteristics, including the maximum gate voltage limit, low threshold voltage and reverse turn-on voltage. Therefore, the gate drive circuit the need for custom design according to the device characteristics. This first analyzes main problems existing in the process of high speed switching device GaN and the solution, and then a detailed description of the driving circuit to complete the HHNEC 0.35 m CD process design of a 80 V high voltage half bridge GaN grid based on verification of related driving technology. By the simulation and test results shows that the driving signal has good delay and small voltage overshoot, can well meet the application needs.

【作者單位】： 電子科技大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61404020) 廣東省自然科學(xué)基金資助項目(2014A030310407)~~
【分類號】：TN303
【正文快照】： l引言近年來Si基GaN晶體管己成為寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研宄熱點,有望成為未來氋效率、高性能、低成本的電源系統(tǒng)解決方案m。與Si MOSFET相比,GaN器件在相同耐壓下具有更小的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,開關(guān)速度快、功率密度高,能夠很好地適用于兆赫茲級大電流開關(guān)電源應(yīng)用。但驅(qū)動GaN

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本文編號：1412026