本文關(guān)鍵詞：等離子增強(qiáng)原子層沉積低溫生長(zhǎng)GaN薄膜　出處：《物理學(xué)報(bào)》2017年09期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 等離子增強(qiáng)原子層沉積 氮化鎵 低溫沉積

【摘要】：采用等離子增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)在低溫下于單晶硅襯底上成功生長(zhǎng)了Ga N多晶薄膜,利用橢圓偏振儀、低角度掠入射X射線衍射儀、X射線光電子能譜儀對(duì)薄膜樣品的生長(zhǎng)速率、晶體結(jié)構(gòu)及薄膜成分進(jìn)行了表征和分析.結(jié)果表明,等離子增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)生長(zhǎng)Ga N的溫度窗口為210—270?C,薄膜在較高生長(zhǎng)溫度下呈多晶態(tài),在較低溫度下呈非晶態(tài);薄膜中N元素與大部分Ga元素結(jié)合成N—Ga鍵生成Ga N,有少量的Ga元素以Ga—O鍵存在,多晶Ga N薄膜含有少量非晶態(tài)Ga_2O_3.
[Abstract]:The growth rate , crystal structure and composition of the thin films were characterized and analyzed by using plasma enhanced atomic layer deposition technique at low temperature on single crystal silicon substrate . The results showed that the growth rate , crystal structure and film composition of the thin film samples were characterized and analyzed by using an elliptical polarizer , a low angle grazing incidence X - ray diffraction instrument and an X - ray photoelectron spectrometer .

【作者單位】： 山東科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備技術(shù)研究室;中國(guó)科學(xué)院嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心;
【基金】：浙江省科研院所扶持專項(xiàng)(批準(zhǔn)號(hào):2016F50009)資助的課題~~
【分類號(hào)】：O484
【正文快照】： 采用等離子增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)在低溫下于單晶硅襯底上成功生長(zhǎng)了Ga N多晶薄膜,利用橢圓偏振儀、低角度掠入射X射線衍射儀、X射線光電子能譜儀對(duì)薄膜樣品的生長(zhǎng)速率、晶體結(jié)構(gòu)及薄膜成分進(jìn)行了表征和分析.結(jié)果表明,等離子增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)生長(zhǎng)Ga N的溫度窗口為210—270?C,薄

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本文編號(hào)：1428152