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191. 基于模塊導(dǎo)通電阻的碳化硅MOSFET鍵合線健康狀態(tài)評估方法
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192. 1200V碳化硅MOSFET在智能電網(wǎng)電力電子設(shè)備中的應(yīng)用特性研究
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193. 高k柵介質(zhì)SOI應(yīng)變硅肖特基源漏MOSFET漏致勢壘降低效應(yīng)研究
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194. 中國電科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片
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195. 4H-SiC平面型和溝槽型MOSFET高低溫下的特性（英文）
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196. 橋式電路中不同封裝SiC MOSFET串?dāng)_問題分析及低柵極關(guān)斷阻抗的驅(qū)動電路
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197. 小型混動游艇雙向全橋型DC-DC變換器MOSFET開路故障診斷方法
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198. 應(yīng)用于模塊化高壓納秒脈沖源的SiC與射頻Si基MOSFET瞬態(tài)開關(guān)特性對比研究
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199. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO 2 界面附近陷阱俘獲和1/f噪聲相關(guān)性研究
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200. 中科院微電子所_清華大學(xué)微電子所_微電子所銦鎵砷mosfet射頻開關(guān)芯片研究獲進展
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