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131. 3.3kV級(jí)4H-SiC MOSFET研究
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132. 60V 功率U-MOSFET失效分析與再設(shè)計(jì)
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133. 短溝道雙柵和圍柵MOSFET的建模和電學(xué)特性研究
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134. VD-MOSFET寄生導(dǎo)通電阻二維模型建模的研究
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135. 干法刻蝕輔助型GaN MOSFET的器件工藝及電學(xué)特性研究
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136. 全耗盡SOI MOSFET亞閾值區(qū)二維半解析模型的研究
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137. 100kHz低頻功放SiC MOSFET串?dāng)_分析與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
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138. 65nm工藝下MOSFET的總劑量輻照效應(yīng)及加固研究
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139. 大功率SiC MOSFET并聯(lián)主動(dòng)均流方法研究
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140. 高低溫條件下MOSFET與反相器鏈輻射效應(yīng)仿真研究
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