GaN及其合金化合物（InGaN、AlGaN等）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料的代表,由于Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料屬于直接帶隙半導(dǎo)體并且擁有變化范圍很大的帶隙寬度,其帶隙變化范圍從InN的0.7eV到AlN的6.28eV,對應(yīng)能量從近紅外可覆蓋到深紫外,再加上其良好的熱穩(wěn)定性和優(yōu)良的電熱力學(xué)性質(zhì),在發(fā)光、顯示、探測、存儲等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。特別是在光電器件方面,InGaN合金作為一個(gè)重要的發(fā)光材料,更是起到不可替代的作用。盡管InGaN/GaN多量子阱LED的特性和應(yīng)用在過去取得了很大的進(jìn)步與發(fā)展,但仍有許多問題有待解決,最重要的問題之一是InGaN/GaN多量子阱LED的發(fā)光效率仍然較低。本論文首先采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法在c面藍(lán)寶石襯底之上生長InGaN/GaN多量子阱基LED。然后,使用自上而下的ICP刻蝕技術(shù)制備納米柱LED陣列。利用PL、拉曼、SEM等方法以及Rsoft模擬等手段分析納米柱結(jié)構(gòu)對InGaN/GaN基LED光電特性和內(nèi)部物理機(jī)制的影響。主要內(nèi)容如下:（1）研究對比了平板LED（即原位樣品）與納米柱LED陣列（即納米柱樣品）的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光效率。通過對比... 

【文章來源】：山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：87 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１過去四十年可見光ＬＥＤ性能提升曲線，在此期間，ＬＥＤｓ性能以平均每十年增長１０??倍的速度發(fā)展Ｗ

ＬＥＤ的發(fā)光效率還相對較低，黃光ＬＥＤ的發(fā)光效率最低，在黃－綠波段（５００－５８０??ｎｍ）發(fā)光效率下降很快，存在一個(gè)效率“空隙”。這種現(xiàn)象同時(shí)存在于ＧａＮ基和??ＡｌＧａｌｎＰ基的ＵＥＤ中，均無法獲得較高的發(fā)光效率。如圖１．２＿所示，這個(gè)“空??隙”問題就是“Ｇｒｅｅｎ?Ｇａｐ”問題［２１＿２３］�！埃牵颍澹澹�?Ｇａｐ”問題使黃、綠光ＬＥＤ的發(fā)??展遇到瓶頸，發(fā)展落后于藍(lán)光ＬＥＤ，缺少高效的黃、綠光ＬＥＤ也無法實(shí)現(xiàn)真正??１０００?＾＇＂－ｉｎＧａＮ???????■ＩｎＧａＡｌＰ??：?／Ｊ－：：．？？屬??？＂ｃｏｌｄ?ｗｈｉｔｅ＇?／＇／■■＇?．－２０％－．．??１?Ｉｒｒ：?／?ｌ?Ｉ?Ｉ?１?Ｉ?＼?＼?＼??＂?４００?４５０?５００?５５０?６００?６５０?７００??ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ?（ｎｍ）?，??圖１．２丨ｎＧａＮ基ＬＥＤ發(fā)光效率與波長的變化關(guān)系曲線，在黃－綠波段（５００－５８０?ｎｍ）發(fā)光??效率下降很快Ｐ１。??Ｆｉｇ．?１．２?Ｔｈｅ?ｅｆｆｉｃａｃｙ?ｏｎ?ｔｈｅ?ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ?ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ?ｏｆ?ＩｎＧａＮ－ｂａｓｅｄ?ｑｕａｎｔｕｍ?ｗｅｌｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ＬＥＤｓ，??ｗｈｉｃｈ?ｄｅｃｌｉｎｅｄ?ｒａｐｉｄｌｙ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｙｅｌｌｏｗ－ｇｒｅｅｎ?ｂａｎｄｓ［２０】．??，?意義的上白光顯示。人眼對綠光敏感度高，提高綠光波段ＬＥＤ發(fā)光效率對ＬＥＤ??發(fā)展尤為重要。目前的替代品都是利用藍(lán)光ＬＥＤ激發(fā)熒光粉獲得，在發(fā)光效率、??亮度和色彩度上都難以滿足需要。??１．４本論文的研究內(nèi)容與主要安排??目前

復(fù)合和非輻射復(fù)合。??２．１．１輯射復(fù)合??輻射復(fù)合有多種途徑，主要包括帶帶躍遷、激子躍遷、雜質(zhì)躍遷，如圖２．１??所示。??ＥＣ＾?２?２－??Ｅｉ??Ｄ?令１?１?ｍ?．??＼?＾／Ｗ＼?ｄｄ＿Ｓ＿??Ｖ：：＇１?＇；Ｗ＼?＇．ｗ＇．．?＼?，ｒ??ＷＶ＼?ＤＡ—??Ａ￣??Ｆ?？?十十?十??圖２．１半導(dǎo)體主要復(fù)合過程。??Ｆｉｇ．?２．１?Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ?ｐａｔｈｓ?ｉｎ?ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ．??（１）帶帶躍遷。導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合發(fā)光過程為帶帶躍遷（五ｃ－五小分??為直接躍遷和間接躍遷⑴。??直接躍遷沒有聲子參與，能量為／／Ｖ＝￡ｇ；??１１??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[2]電子束蒸發(fā)法沉積金屬聚合物基復(fù)合薄膜成膜機(jī)理及其性能研究[D]. 孫晉國.南京理工大學(xué) 2017
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本文編號：2928201