由于優(yōu)異的電化學性質,GaN基材料在微電子領域和光電子領域得到了廣泛的應用。GaN基材料是直接帶隙半導體材料,相比于間接帶隙半導體材料有更高的發(fā)光效率。而且通過調節(jié)GaN合金組分其禁帶寬度可以從0.7 eV （InN）到6.28 eV （AlN）變化,覆蓋了整個可見光范圍。隨著半導體工藝技術的不斷進步發(fā)展,已經成功制備了藍、綠、紫外光LED器件,而且藍光LED已經成為世界各大公司研究的重點。但是GaN材料和藍寶石襯底之間存在很大的晶格失配和熱失配,在外延生長的時候晶體內會存在很高的位錯、缺陷密度,這些位錯和缺陷形成非輻射復合中心從而導致器件發(fā)光效率降低。InN和GaN互溶度很低而且飽和蒸汽壓不同,所以在利用MOCVD生長InGaN/GaN多量子阱時,In組分在量子阱內分布不均勻容易形成富In區(qū)局域態(tài)。目前普遍接受的觀點是由于這些局域態(tài)的存在限制了載流子向非輻射復合中心弛豫而提高了LED的發(fā)光效率,但是對InGaN/GaN多量子阱內載流子的動力學機制和發(fā)光機制等還沒有完全認識清楚。本論文通過光致發(fā)光和電致發(fā)光等實驗手段研究了InGaN/GaN多量子阱的溫度和功率依賴性性,探究其發(fā)光特性,... 

【文章來源】：山東大學山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：69 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－２同質外延與異質外延生長示意圖??

山東大學碩：ｉｒ學位論文??噴射爐內。由分別加熱到相應溫度噴射出的各元素分子流在襯底上生長出極（可薄至單原子層）單晶體。ＭＢＥ的優(yōu)點有Ｗ下幾點：能夠制備出超薄層導體晶體；外延生長時的溫度相對較低，有利于提高外延晶體的質量；外延的晶體均一性好且面積大；可Ｗ制備出不同組分的多層結構。在生長過程中，??替向反應室中提供所需氣體源，使外延晶體能夠Ｗ單原子層的速率生長Ｗ實子層外延。??

及加合物等逐步分解甚至氣相成核；反應劑先吸附在襯底表面，然后在襯底表面??擴散反應，最終并入晶格、成核、島狀生長、臺階生長，最終形成外延層；副產??物和未發(fā)生反應的物質隨著載氣帶出反應室。反應過程如圖２－５。??。檐ａ無蟲碼??｜）？４??４?＼??０?數行物?ＴＭＯａ－ＸＨ；?§??Ａ?Ｏ?Ｔ??、２?嚴?《ｆ??爲細；?◎?Ｈ??朵?Ｃｗ’ＣＨｊ）；?。ＣＨ；??圖２－５?ＧａＮ鐘延生長機理’?‘??１８??

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3359961