發(fā)布時間：2022-02-17 21:16

　　圍繞高性能GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（VCSELs）,設(shè)計了兩種具有不同光電耦合強度的InGaN/GaN量子阱（QWs）樣品,研究了它們的光學(xué)性質(zhì)。樣品A在腔模的兩個波腹處各放置兩個InGaN耦合量子阱,而樣品B在腔模的一個波腹處放置5個InGaN耦合量子阱。計算表明樣品A具有較大的相對光限制因子1.79,而樣品B為1.47。光學(xué)測試發(fā)現(xiàn)樣品A有著更高的內(nèi)量子效率（IQE）和更高的輻射復(fù)合效率。使用兩種樣品制作了光泵VCSEL結(jié)構(gòu),在光激發(fā)下實現(xiàn)激射,其中基于樣品A的VCSEL有著更低的激射閾值。結(jié)果表明有源區(qū)結(jié)構(gòu)會顯著影響量子阱與光場的耦合作用、外延片的內(nèi)量子效率、輻射復(fù)合壽命和VCSEL激射閾值,同時也說明樣品A的有源區(qū)結(jié)構(gòu)更有利于制作低閾值的VCSEL器件。 

【文章來源】：發(fā)光學(xué)報. 2020,41(01)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 材料設(shè)計與VCSEL器件制備
3 外延片測量結(jié)果和討論
    3.1 光致發(fā)光(PL)隨溫度的變化
    3.2 時間分辨光致發(fā)光測量
4 VCSEL測試結(jié)果
4 結(jié) 論



本文編號：3630117