采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積技術(shù)在Si(111)襯底上生長(zhǎng)藍(lán)光多量子阱發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu),通過(guò)在量子阱下方分別插入兩組不同厚度的InGaN/GaN超晶格,比較了超晶格厚度對(duì)LED光電性能的影響.結(jié)果顯示:隨超晶格厚度增加,樣品的反向漏電流加劇;300 K下電致發(fā)光儀測(cè)得隨著電流增加,LED發(fā)光光譜峰值的藍(lán)移量隨超晶格厚度增加而減少,但不同超晶格厚度的兩個(gè)樣品在300 K下的電致發(fā)光強(qiáng)度幾乎無(wú)差異.結(jié)合高分辨X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡對(duì)樣品的位錯(cuò)密度和V形坑特征分析,明確了兩樣品反向漏電流產(chǎn)生巨大差異的原因是由于超晶格厚度大的樣品具有更大的V形坑和V形坑密度,而V形坑可作為載流子的優(yōu)先通道,使超晶格更厚的樣品反向漏電流加劇.通過(guò)對(duì)樣品非對(duì)稱(105)面附近的X射線衍射倒易空間圖分析,算得超晶格厚度大的樣品其InGaN量子阱在GaN上的弛豫度也大,即超晶格厚度增加有利于減小InGaN量子阱所受的應(yīng)力.綜合以上影響LED發(fā)光效率的消長(zhǎng)因素,導(dǎo)致兩樣品最終的發(fā)光強(qiáng)度相近.

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