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81. 基于GaAs/GaN工藝的單片寬帶放大器研究
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82. Si基埋置型GaAs芯片封裝技術(shù)及其熱分析
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83. 間歇式As中斷生長(zhǎng)InGaAs/GaAs量子點(diǎn)
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84. ALE法對(duì)InSb/GaAs異質(zhì)薄膜電學(xué)性能的改進(jìn)
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85. InP/GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的低溫外延生長(zhǎng)及退火研究
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86. ZnO/GaAs異質(zhì)結(jié)的制備及其光電性能研究
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87. InGaP/GaAs HBT器件多物理量建模研究
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88. PZT/GaAs異質(zhì)結(jié)的制備及其光伏特性探究
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89. 外場(chǎng)作用對(duì)InAs/GaAs量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)影響的研究
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90. GaAs半導(dǎo)體表面的等離子氮鈍化特性研究
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