MMIC電路具有尺寸小、重量輕、可靠性高等優(yōu)勢,在相控陣?yán)走_、儀器儀表、衛(wèi)星通信、光纖系統(tǒng)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。低噪聲放大器和功率放大器是射頻前端電路中的關(guān)鍵部件。無線通信技術(shù)的快速發(fā)展,對寬帶MMIC放大器有著廣泛的需求,因此對寬帶MMIC放大器的研究具有重要的意義。本文對寬帶放大器常見的電路進行了對比分析。本文使用0.15μm GaAs pHEMT工藝,設(shè)計了一款工作帶寬為2～6GHz的寬帶MMIC低噪聲放大器電路。整體電路結(jié)構(gòu)采用兩級級聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)。低噪聲放大器的供電部分采用單電源供電,該供電結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點。對于低噪聲放大器的第一級,采用在晶體管源極串聯(lián)電感折中噪聲匹配和輸入匹配。低噪聲放大器的兩級電路均采用并聯(lián)負(fù)反饋技術(shù),從而擴展電路的工作帶寬。本文分析了 MMIC低噪聲放大器的電路原理圖和版圖設(shè)計的方法。版圖仿真結(jié)果表明,在工作帶寬2～6GHz范圍內(nèi),MMIC低噪聲放大器的噪聲系數(shù)小于1.6dB,增益達到19～19.4dB,輸入端反射系數(shù)S11小于-12.8dB,輸出端反射系數(shù)S22小于-8.3dB。GaNHEMT具有較大的輸出功率、較高的工作效率等優(yōu)勢。本文采用0.... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１世界上第一款ＭＭＩＣ放大器??

第五章基于ＧａＮ工藝的寬帶功率放大器設(shè)計??作帶寬的中心頻率／〇＝３ＧＨＺ處對應(yīng)的電感值為１＝３．４２１＾。同理可Ｃ２與并聯(lián)電容Ｃ３的電容值，串聯(lián)電感。的電感值以及元件對應(yīng)５．７所示。Ｃｈ?組成的匹配網(wǎng)絡(luò)向輸出端方向的阻抗為Ｚ！。同理，Ｃ３組成的匹配網(wǎng)絡(luò)向輸出端方向的阻抗為Ｚ２。整個輸出級匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗為Ｚ３。Ｚｉ、Ｚ２、Ｚ３在Ｓｍｉｔｈ圓圖上的分布情況如圖５．８所示知，輸出級匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗與通過負(fù)載牽引得到的輸出功率所對。??ｚ

第五章基于ＧａＮ工藝的寬帶功率放大器設(shè)計??作帶寬的中心頻率／〇＝３ＧＨＺ處對應(yīng)的電感值為１＝３．４２１＾。同理可Ｃ２與并聯(lián)電容Ｃ３的電容值，串聯(lián)電感。的電感值以及元件對應(yīng)５．７所示。Ｃｈ?組成的匹配網(wǎng)絡(luò)向輸出端方向的阻抗為Ｚ！。同理，Ｃ３組成的匹配網(wǎng)絡(luò)向輸出端方向的阻抗為Ｚ２。整個輸出級匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗為Ｚ３。Ｚｉ、Ｚ２、Ｚ３在Ｓｍｉｔｈ圓圖上的分布情況如圖５．８所示知，輸出級匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗與通過負(fù)載牽引得到的輸出功率所對。??ｚ

【參考文獻】：
期刊論文
[1]一款Ku波段GaAs PHEMT低噪聲放大器[J]. 韓克鋒,李建平.  微波學(xué)報. 2017(04)
[2]5～10GHz MMIC低噪聲放大器[J]. 孫昕,陳瑩,陳麗,李斌.  半導(dǎo)體技術(shù). 2017(08)
[3]Ku波段20W GaN功率MMIC[J]. 徐波,余旭明,葉川,陶洪琪.  固體電子學(xué)研究與進展. 2017(02)
[4]0.5-18GHz超寬帶低噪聲放大器單片電路研制[J]. 朱熔琦,徐銳敏.  微波學(xué)報. 2016(S1)
[5]微波寬帶高效率GaN MMIC功率放大器設(shè)計[J]. 劉憲鎖,徐躍杭.  微波學(xué)報. 2016(S1)
[6]X波段12W GaAs功率放大器MMIC[J]. 馮威,倪帥.  半導(dǎo)體技術(shù). 2016(05)
[7]一款超寬帶低噪聲放大器MMIC[J]. 李遠鵬,魏洪濤,劉永強.  半導(dǎo)體技術(shù). 2016(04)
[8]2～4 GHz MMIC低噪聲放大器[J]. 孫艷玲,許春良,樊渝,魏碧華.  半導(dǎo)體技術(shù). 2014(10)
[9]一種具有0.5dB噪聲系數(shù)的450～470MHz單片集成LNA[J]. 曾健平,戴志偉,楊浩,張海英,鄭新年.  湖南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2014(02)
[10]一種具有0.75dB噪聲系數(shù)的2.3～2.4GHz單片集成低噪聲放大器[J]. 戴志偉,曾健平,楊浩,張海英,鄭新年.  固體電子學(xué)研究與進展. 2013(06)

碩士論文
[1]Ka波段MMIC功率放大器芯片設(shè)計[D]. 唐德喬.電子科技大學(xué) 2017
[2]微波GaN高效率MMIC功率放大器研究[D]. 孫環(huán).電子科技大學(xué) 2016
[3]微波單片接收前端關(guān)鍵器件技術(shù)研究[D]. 王強濟.電子科技大學(xué) 2012
[4]X波段GaN HEMT單片集成功率放大器設(shè)計[D]. 黃冬冬.西安電子科技大學(xué) 2010
[5]Ka波段寬帶單片低噪聲放大器的研究[D]. 徐俊斌.南京理工大學(xué) 2007



本文編號：2937294