采用間歇式As中斷方法利用分子束外延（MBE）生長了不同厚度的InGaAs量子點,并通過反射式高能電子衍射儀（RHEED）以及掃描隧道顯微鏡（STM）對其表面進行形貌表征與分析。研究發(fā)現(xiàn)間歇式As中斷方法有利于改善量子點的均勻性,同時量子點的表面形貌特征由生長溫度和沉積厚度決定;量子點沉積厚度越大,量子點面密度越高;在一定生長溫度范圍內(nèi),生長溫度越高量子點分布均勻性越強,反之則越弱;研究還發(fā)現(xiàn)InGaAs量子點的生長過程中存在3個截然不同的階段和兩種明顯的生長模式轉變點,3個階段分別是層狀生長階段、量子點形成階段和量子點自合并成熟階段,兩種生長模式轉變點分別是SK轉變和量子點自合并熟化轉變。 

【文章來源】：功能材料. 2017,48(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 實驗結果與討論
    2.1 實驗方案
    2.2 實驗結果
    2.3 實驗數(shù)據(jù)分析與討論
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]MBE生長GaAs（001）薄膜表面的Ostwald熟化過程研究[J]. 王繼紅,羅子江,周勛,郭祥,周清,劉珂,丁召.  功能材料. 2013(06)
[2]反射式高能電子衍射實時監(jiān)控的分子束外延生長GaAs晶體襯底溫度校準及表面相變的研究[J]. 周勛,楊再榮,羅子江,賀業(yè)全,何浩,韋俊,鄧朝勇,丁召.  物理學報. 2011(01)



本文編號：3023512