從硅、鍺作為第一類半導(dǎo)體而被人們廣泛應(yīng)用以來(lái),半導(dǎo)體學(xué)科的發(fā)展以及半導(dǎo)體技術(shù)的深化應(yīng)用便在人類社會(huì)的方方面面產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。上世紀(jì)60年代開(kāi)始,物理學(xué)家已經(jīng)認(rèn)識(shí)到在超薄層材料中研究量子效應(yīng)有著極大的優(yōu)勢(shì),而量子點(diǎn)材料的出現(xiàn)則為更進(jìn)一步探究材料的量子限制效應(yīng)提供了研究目標(biāo),80年代后,有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和分子束外延(MBE)等生長(zhǎng)工藝的先后出現(xiàn),使得制備高精度自組裝量子點(diǎn)有了行之有效的方法。InAs量子點(diǎn)作為優(yōu)良的直接帶隙材料,擁有帶隙窄、高發(fā)光效率、高電子遷移率、穩(wěn)定性優(yōu)良等諸多優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注。本文中的研究目標(biāo)砷化銦/砷化鎵(InAs/GaAs)量子點(diǎn),以其為核心的光電子器件在微電子和紅外探測(cè)領(lǐng)域有很大的應(yīng)用。目前人們已就生長(zhǎng)條件、組成成分、量子點(diǎn)表面形貌、測(cè)量時(shí)的溫度、激發(fā)光功率等條件下量子點(diǎn)物理性質(zhì)的變化做過(guò)大量的研究。在對(duì)InAs量子點(diǎn)的研究過(guò)程中,I.E.Itskevich,馬寶珊等人先后在靜水壓力對(duì)于InAs量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)的影響上做了大量的研究,發(fā)現(xiàn)靜水壓力會(huì)導(dǎo)致InAs量子點(diǎn)熒光光譜強(qiáng)度降低,以及壓力系數(shù)的改變。然而對(duì)于應(yīng)力導(dǎo)致的半導(dǎo)體器件形變時(shí)InAs量...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1（a）閃鋅礦GaAs立體結(jié)構(gòu)（b）閃鋅礦InAs立體結(jié)構(gòu)

述，物理學(xué)者已經(jīng)就外加磁嘗靜水壓力、外加電場(chǎng)以及溫度等環(huán)境下InAs/GaAs量子點(diǎn)物理性質(zhì)的改變做出了研究。但是對(duì)外場(chǎng)造成的影響，尤其是外應(yīng)力引發(fā)的形變對(duì)物理性質(zhì)改變的研究甚少。1.2GaAs和InAs的材料特性作為III-V族半導(dǎo)體以及第二代半導(dǎo)體的典型代表，砷化鎵（GaAs....

圖1.2（a）GaAs的能帶結(jié)構(gòu)（b）InAs的能帶結(jié)構(gòu)

第一章緒論3主要受到帶隙與溫度比值TkEBg的控制，當(dāng)這個(gè)比值變大時(shí)，則半導(dǎo)體材料的本征載流子濃度降低，導(dǎo)致電導(dǎo)率隨之下降。所以能帶理論成為了研究分析半導(dǎo)體材料中載流子運(yùn)動(dòng)的重要理論依據(jù)。半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)是一系列的導(dǎo)帶和價(jià)帶共同形成的，這就可以用來(lái)解釋半導(dǎo)體材料在外界條件變化時(shí)的....

圖1.3四種維度下的半導(dǎo)體材料及各維度的態(tài)密度分布

第一章緒論5使得量子點(diǎn)材料在使用上有明顯的優(yōu)勢(shì)，如，基于量子尺寸效應(yīng)制成的半導(dǎo)體單電子器件尺寸小，消耗低；量子點(diǎn)材料發(fā)光光譜對(duì)稱分布顏色可調(diào)，以其制成的熒光探針在生物醫(yī)療方面有著巨大作用。如今的量子點(diǎn)材料已經(jīng)以其優(yōu)異的物理性質(zhì)在物理，化學(xué)，材料，生物等眾多尖端科技中占據(jù)了自己的一....

圖1.4InAs/GaAs量子點(diǎn)發(fā)光示意圖（a）無(wú)應(yīng)力時(shí)，（b）施加應(yīng)力時(shí)

外場(chǎng)作用對(duì)InAs/GaAs量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)影響的研究6圖1.4InAs/GaAs量子點(diǎn)發(fā)光示意圖（a）無(wú)應(yīng)力時(shí)，（b）施加應(yīng)力時(shí)1.5本文各部分研究?jī)?nèi)容及創(chuàng)新性工作本工作中，研究了以分子束外延（MBE）方法生長(zhǎng)于GaAs襯底上的InAs/GaAs自主裝量子點(diǎn)在施加應(yīng)力使其形變后以....

本文編號(hào)：4036638