傳統(tǒng)貼置型芯片封裝集成度低、散熱效果差,為提高GaAs芯片的封裝集成度與散熱效果,基于MEMS異質(zhì)集成技術(shù)提出一種毫米波硅埋置型三維封裝模型結(jié)構(gòu),借助COMSOL軟件開展熱學(xué)仿真優(yōu)化,得到芯片溫度與封裝基板厚度、底座厚度、涂覆銀漿厚度、硅通孔（TSV）距離芯片中心位置及個(gè)數(shù)的變化規(guī)律,獲得芯片埋置的熱學(xué)最優(yōu)化工藝參數(shù)。最終確定的模型集成度高、體積小、散熱效果好,封裝體積僅為20 mm×10 mm×1 mm,可以實(shí)現(xiàn)三維堆疊,芯片工作溫度要比傳統(tǒng)貼片封裝模型降低13.64℃,符合芯片正常工作的溫度需求。 

【文章來源】：電子器件. 2020年03期 北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

表面貼置型芯片封裝結(jié)構(gòu)和熱場分布

為提高芯片的散熱效果和集成度,類似于PCB散熱孔設(shè)計(jì)[14],本文提出了硅基埋置型TSV芯片互聯(lián)的三維封裝(SIP)方案,基板材料為單晶硅,基于干法或濕法刻蝕工藝,制作埋置坑填放GaAs芯片,在封裝高度上可減小一個(gè)芯片厚度,介質(zhì)材料為BCB(苯并環(huán)丁烯),芯片電性能連接采用Si表面形成的帶狀A(yù)u線作為傳導(dǎo)介質(zhì)。建立封裝結(jié)構(gòu),如圖2所示。圖3 芯片溫度隨銀漿厚度的變化關(guān)系

芯片溫度隨銀漿厚度的變化關(guān)系

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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本文編號：2952686