隨著無線通信和射頻技術(shù)的發(fā)展,集成電路設計對器件特性的要求也逐漸提高,特別是在微波射頻等高頻電路設計領(lǐng)域。III-V族化合物半導體器件由于有較好的高頻特性而被重點研究,其中,InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（HBT）與其他化合物半導體相比,具有更高的禁帶寬度,更大的電流增益,更高的可靠性,以及更好的溫度穩(wěn)定性等眾多優(yōu)勢,非常適用于微波毫米波電路設計,因此本文對其模型進入深入研究,并建立可以實際應用的較為準確可靠的模型。本文從InGaP/GaAs HBT的原理和特性入手,在分析其結(jié)構(gòu)的基礎上,建立其小信號模型,根據(jù)小信號模型等效電路,使用直接提取參數(shù)的方法,對小信號模型參數(shù)進行了提取。隨后分析HBT的幾個重要的大信號模型,并從其模型描述入手,對比分析各模型在低頻及高頻的優(yōu)劣勢,在此基礎上,著重介紹了Agilent HBT大信號模型,并對其參數(shù)進行分析與分類。本文采用較為準確的測試儀器進行小信號和大信號測試,然后將器件的工藝參數(shù)引入Agilent HBT模型,修改并進行參數(shù)調(diào)節(jié),采用將測試和模型仿真結(jié)果對比的方法,對模型參數(shù)進行不斷修改,得出較準確的模型,提高器件模型對工藝流程以及工... 

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：93 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

Forward不同尺寸擬合結(jié)果

西安電子科技大學碩士學位論文從擬合圖可以看出，在工作電壓 VBE 變化時，得到的集電極電流和基極電流型和測試結(jié)果擬合度較好，并且得到的電流放大系數(shù)也有很好的擬合度，說明正流參數(shù)的調(diào)整結(jié)果較為準確。在隨 Vc 變化測試集電極電流和基極電流的到的反線中，也得到了較高的擬合度曲線。

圖4.7 Ic-vc 不同尺寸擬合結(jié)果圖4.8 不同溫度下 Ic-Vc 擬合結(jié)果三）電容 Cbc 和 Cbe響 Cbc 和 Cbe 電容的參數(shù)及含義如下表：


本文編號：3490155