本文關(guān)鍵詞：GaAs半導(dǎo)體表面的等離子氮鈍化特性研究

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【摘要】：采用射頻(RF)等離子方法,對(duì)Ga As樣品進(jìn)行了150 W高功率等離子氮鈍化及快速退火處理。經(jīng)過(guò)該方法鈍化后的樣品,光致發(fā)光(PL)強(qiáng)度上升了91%。XPS分析得出,Ga As樣品表面的氮化效果隨著氮等離子體功率的增加而逐漸趨于明顯。氮化后的樣品表面未發(fā)現(xiàn)氧化物殘余。樣品在空氣中加熱放置30 d,PL強(qiáng)度下降不明顯,說(shuō)明表面鈍化層具有良好的穩(wěn)定性。
【作者單位】： 長(zhǎng)春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 等離子 XPS PL GaAs
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61176048;61177019;61308051) 吉林省科技發(fā)展計(jì)劃(20150203007GX;20130206016GX) 中物院高能激光重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(2014HEL01)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.23
【正文快照】： 1引言高濃度表面態(tài)在禁帶中造成費(fèi)米釘扎現(xiàn)象[1],對(duì)Ga As基高功率半導(dǎo)體激光器的腔面穩(wěn)定性帶來(lái)嚴(yán)重影響。研究人員嘗試采用多種鈍化方法改善或解決這一問(wèn)題。含硫鈍化液對(duì)Ga As表面具有明顯的PL增強(qiáng)效果[2],但生成的硫化物表面層性能不穩(wěn)定,空氣中鈍化效果不能夠長(zhǎng)期保持;同

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 葉春暖,湯乃云,吳雪梅,諸葛蘭劍,余躍輝,姚偉國(guó);Ge-SiO_2薄膜的XPS研究[J];微細(xì)加工技術(shù);2002年01期

2 曾明剛,陳松巖,林愛(ài)清,鄧彩玲,蔡貝妮;用XPS法研究硅基硫化鋅薄膜[J];半導(dǎo)體技術(shù);2005年02期

3 李麗;常仁杰;方亮;李秋俊;陳希明;馮世娟;;Al摻雜的ZnO薄膜的XPS譜和光學(xué)特性研究[J];微細(xì)加工技術(shù);2007年05期

4 陳蕓琪,林彰達(dá),齊上雪,謝侃,常英傳,侯德森,王泰宏;SrTiO_3表面O_2,H_2O吸附的UPS,XPS研究[J];物理學(xué)報(bào);1987年08期

5 ;[J];;年期

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本文編號(hào)：879419