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801. 原位沉積的SiN_x插入層對GaN晶體結(jié)構(gòu)及形貌的影響
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802. 圖形化藍寶石襯底摻雜漸變GaN肖特基型紫外探測器
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803. 阱區(qū)結(jié)構(gòu)對硅襯底GaN基LED器件光電性能影響的研究
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804. GaN基FP-HEMT器件的新結(jié)構(gòu)與解析模型研究
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805. 提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測GaN HEMT結(jié)溫準確度的方法
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806. GaN基紫外LED多量子阱勢阱層材料生長條件的研究
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807. 不同轉(zhuǎn)移工藝制備的垂直結(jié)構(gòu)Si襯底GaN基LED光衰研究
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808. 不同插入層對抑制Mg摻雜p-GaN的記憶效應
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809. 第三代半導體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)
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810. 圖形化藍寶石襯底形貌對GaN基LED出光性能的影響
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