本文選題：氮化鎵 + Si襯底上GaN功率電子器件　； 參考：《電源學(xué)報(bào)》2016年04期

【摘要】：氮化鎵(GaN)材料具有優(yōu)異的物理特性,非常適合于制作高溫、高速和大功率電子器件,具有十分廣闊的市場(chǎng)前景。Si襯底上GaN基功率開(kāi)關(guān)器件是目前的主流技術(shù)路線,其中結(jié)型柵結(jié)構(gòu)(p型柵)和共源共柵級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)(Cascode)的常關(guān)型器件已經(jīng)逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,并在通用電源及光伏逆變等領(lǐng)域得到應(yīng)用。但是鑒于以上兩種器件結(jié)構(gòu)存在的缺點(diǎn),業(yè)界更加期待能更充分發(fā)揮GaN性能的"真"常關(guān)MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面實(shí)用化,仍然面臨著在材料外延方面和器件穩(wěn)定性方面的挑戰(zhàn)。
[Abstract]:Gallium nitride (GaN) has excellent physical properties. It is very suitable for the fabrication of high temperature, high speed and high-power electronic devices. It has a very broad market prospect. GaN based power switching devices on the.Si substrate are the mainstream technology routes, in which the junction gate structure (P gate) and the common source cascade (Cascode) cascade structure have already been used. The industry is gradually realized and applied in the fields of general power supply and photovoltaic inverter. However, in view of the shortcomings of the two devices, the industry is more expected to give full play to the "true" MOSFET devices of GaN performance. And the comprehensive and practical application of GaN MOSFET devices still faces the aspect of material extension and device stability. The challenge.
【作者單位】： 中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院;中山大學(xué)電力電子及控制技術(shù)研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51177175) 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)資助項(xiàng)目(2014AA032606) 廣東省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015A030312011)~~
【分類號(hào)】：TN386.1;TN304.2

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本文編號(hào)：2061975