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71. 寄生電感對碳化硅
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開關(guān)特性的影響
72. 1200V碳化硅
MOSFET
的仿真設(shè)計和優(yōu)化
73. 基于CBCM方法的
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寄生電容測量方法設(shè)計
74. 大電流SiC
MOSFET
器件關(guān)鍵技術(shù)與器件研究
75. 基于
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的納秒級全固態(tài)脈沖源設(shè)計
76. E類功率
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77. 基于耦合電感的SiC
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并聯(lián)主動均流
78. 碳化硅槽柵
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器件設(shè)計及其特性研究
79. Ge材料
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80. 面向分立型
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