基于CBCM方法的MOSFET寄生電容測量方法設(shè)計
本文選題:CBCM 切入點:寄生電容測量 出處:《浙江大學》2017年碩士論文
【摘要】:基于充放電的電容測量(Charge-based Capacitance Measurement,CBCM)是目前對片上寄生電容進行測量的最精確而有效的方法;贑BCM方法本文提出了兩種改進型的測量方法。一種是自微分(Self-Differential,SD)CBCM方法,用于單個微分電容,如MOSFET柵電容的精確測量。這種方法有兩個優(yōu)點,一是采用了一種新提出的自微分的測試步驟來消除測量過程中的系統(tǒng)誤差,二是可以工作于超高頻率(500MHz以上),從而大大減小了隨機誤差。因此相比于之前的CBCM方法,該方法能提高數(shù)十倍的測量精度。另一種是多通道(Multi-Channel,MC)CBCM,用于MOSFET各部分寄生電容的精確提取分離。成功分離提取MOSFET柵源電容、柵漏電容、柵對襯底電容、源對襯底電容、漏對襯底電容等寄生電容,并且可以測量MOSFET各種工作區(qū)域的寄生電容,從截止區(qū)到放大區(qū)到飽和區(qū)。測量精度達到亞飛法(小于10-15F)級別,這也是首次有研究工作能以這樣的精度做這么廣泛的片上電容測量工作。兩種CBCM方法都以陣列的形式在GSMC0.18μm工藝上實現(xiàn),通過對多個不同待測器件的批量測量,我們的測量方法的可靠性可以得到驗證。
[Abstract]:Charge-based Capacitance Measurement method (CBCM) is the most accurate and effective method to measure parasitic capacitance on chip. Based on CBCM method, two improved methods are proposed in this paper. For accurate measurement of single differential capacitance, such as MOSFET gate capacitance, this method has two advantages: first, a new self-differential test step is proposed to eliminate the systematic errors in the measurement process. The second is that the random error can be greatly reduced by working at or above 500MHz at ultra-high frequency. Therefore, compared with the previous CBCM method, The method can improve the measurement accuracy by dozens of times. The other is the multi-channel multi-channel channel channeler MCCBCM, which is used for the accurate extraction and separation of parasitic capacitors in various parts of MOSFET. The successful separation and extraction of MOSFET gate source capacitance, gate leakage capacitance, gate to substrate capacitance, source-to-substrate capacitance, Parasitic capacitance, such as leakage capacitance to substrate, and can measure parasitic capacitance in various working regions of MOSFET, from cutoff region to amplification region to saturation region. The accuracy of measurement reaches the level of subfly method (less than 10-15F). This is the first time that research work has been done to measure the capacitance on a chip with such precision. Both CBCM methods are implemented in GSMC0.18 渭 m process in the form of arrays, and are measured in batches of many different devices to be tested. The reliability of our method of measurement can be verified.
【學位授予單位】:浙江大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2017
【分類號】:TN386
【相似文獻】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 孫士乾;寄生電容對開關(guān)電路的影響及其消除[J];電子學報;1987年06期
2 陳維友,劉式墉;電極、互聯(lián)線寄生電容數(shù)值分析新模型[J];半導體學報;1991年04期
3 古江春,王澤毅,洪先龍;三維寄生電容邊界元計算的半解析積分方法[J];電子學報;2000年05期
4 古江春,王澤毅,洪先龍;互連寄生電容器中屏蔽導體的快速判斷[J];計算機輔助設(shè)計與圖形學學報;2000年10期
5 喻文健,王澤毅;三維多介質(zhì)電容計算的有效方程組織方法[J];清華大學學報(自然科學版);2002年01期
6 鄭藍舟;喻文健;尹航;王澤毅;;片級三維寄生電容的并行提取算法[J];計算機輔助設(shè)計與圖形學學報;2008年11期
7 孫世磊;薛金濤;王高峰;姬曉輝;;基于場的寄生電容并行提取方法[J];武漢大學學報(工學版);2008年02期
8 楊釗志,王澤毅,方蜀州;VLSI互連寄生電容準三維多極加速提取[J];電子學報;2000年11期
9 王國章;劉戰(zhàn);高校良;須自明;于宗光;;GMRES方法在3-D寄生電容計算中的應(yīng)用[J];電子器件;2007年04期
10 陳曦;王高峰;丁文;周維;;神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在集成電路互連線寄生電容提取中的應(yīng)用[J];應(yīng)用基礎(chǔ)與工程科學學報;2008年05期
相關(guān)博士學位論文 前1條
1 朱恒亮;納米工藝集成電路的互連線寄生電容參數(shù)提取[D];復旦大學;2009年
相關(guān)碩士學位論文 前6條
1 繆家斌;低寄生電容ESD保護器件的研究[D];電子科技大學;2015年
2 周星;S波段射頻LDMOS晶體管的設(shè)計與實驗研究[D];電子科技大學;2015年
3 萬青;基于CBCM方法的MOSFET寄生電容測量方法設(shè)計[D];浙江大學;2017年
4 魏洪川;超大規(guī)模集成電路中寄生電容的提取和快速解法研究[D];清華大學;2003年
5 孫澤武;考慮懸浮啞元的互連電路寄生電容提取算法研究[D];復旦大學;2013年
6 王敏;基于半解析法MOSFET寄生電容的研究[D];安徽大學;2014年
,本文編號:1696342
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1696342.html