【摘要】：采用MOSFET半導體固態(tài)開關作為主放電開關取代氣體開關、高壓二極管替代充電電阻的技術方法,設計了一種基于功率MOSFET固態(tài)開關的納秒級全固態(tài)脈沖源。設計的脈沖源主開關級數(shù)共5級,每級主開關分別由5只功率MOSFET半導體固態(tài)開關器件串聯(lián)組成,開關通斷控制采用脈沖隔離變壓器同步驅動方式。在重復頻率1Hz~1kHz、充電電壓4kV、負載阻抗為1kΩ條件下,可實現(xiàn)輸出幅度大于20kV、前沿小于10ns且脈寬大于100ns的高壓快脈沖。通過實驗結果驗證了所采用的設計原理及方法的可行性,并給出了單次和重復頻率(1kHz)觸發(fā)信號作用下全固態(tài)脈沖源輸出的實驗結果。
[Abstract]:Using MOSFET semiconductor solid state switch as main discharge switch to replace gas switch and high voltage diode instead of charging resistance, a nanosecond all-solid-state pulse source based on power MOSFET solid-state switch is designed. The main switch series of the designed pulse source consists of 5 series, each stage is composed of 5 power MOSFET semiconductor solid-state switch devices in series respectively. The switching on and off control adopts the synchronous drive mode of pulse isolation transformer. When the repetition rate is 1Hz, the charging voltage is 4kV, the load impedance is 1k 惟, the output amplitude is more than 20kV, the front is smaller than 10ns and the pulse width is larger than 100ns. The design principle and the feasibility of the proposed method are verified by the experimental results, and the experimental results of the output of the all-solid-state pulse source under the action of single and repeated frequency (1kHz) trigger signals are given.
【作者單位】： 中國工程物理研究院流體物理研究所脈沖功率科學與技術重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金項目(61504127)
【分類號】：TN782

【參考文獻】

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本文編號：2169423