發(fā)布時(shí)間：2020-12-08 21:02

　　我們處在一個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時(shí)代,而微電子產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的支柱,在過(guò)去的幾十年中,以Si為代表的半導(dǎo)體材料的應(yīng)用讓集成電路產(chǎn)業(yè)得以飛速發(fā)展。但隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體器件集成度要求的提高,半導(dǎo)體器件的尺寸變得越來(lái)越小,傳統(tǒng)的Si材料面臨著技術(shù)及物理極限上的挑戰(zhàn),單純地通過(guò)縮短溝道長(zhǎng)度來(lái)提高傳統(tǒng)集成電路的集成度和提升半導(dǎo)體器件的性能已經(jīng)變得越來(lái)越困難。為了進(jìn)一步提高半導(dǎo)體器件的性能,迫切需要尋找另一種半導(dǎo)體材料,來(lái)彌補(bǔ)Si材料在這些方面上的不足。Ge因有著比Si更高的電子和空穴遷移率,且與Si材料成熟的半導(dǎo)體器件工藝相兼容而成為了最理想的候選材料。影響半導(dǎo)體器件性能的因素有很多,其中電阻是一個(gè)很重要的因素,半導(dǎo)體器件的總電阻是由半導(dǎo)體材料的體電阻和半導(dǎo)體器件源漏電極的接觸電阻兩部分組成。在半導(dǎo)體器件溝道尺寸較大的時(shí)候,源漏電極上的接觸電阻占整個(gè)器件總電阻的比例很小,對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響有限,然而隨著器件尺寸的不斷縮小,半導(dǎo)體器件源漏電極上的接觸電阻在整個(gè)器件總電阻中所占的比例越來(lái)越大,對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響也越來(lái)越大。為了減小半導(dǎo)體器件源漏電極上的接觸電阻,提升半導(dǎo)體器件的性能... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：77 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

典型的NMOSFET結(jié)構(gòu)圖

(a)歐姆接觸的I-V曲線；(b)肖特基接觸的I-V曲線

(1-1)圖1.3 m＞ s時(shí)，n 型半導(dǎo)體與金屬接觸能帶圖(a)接觸前；(b)接觸后從圖 1.3(a)中我們可以看出在金屬與半導(dǎo)體材料接觸前半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)高于金屬材料的費(fèi)米能級(jí)，即 m> s。由于半導(dǎo)體材料的費(fèi)米能級(jí)比金屬的費(fèi)米能級(jí)要高，在金屬與半導(dǎo)體形成接觸時(shí)，半導(dǎo)體中的電子會(huì)向金屬中流動(dòng)，金屬的表面由于電子的流失而帶正電，半導(dǎo)體表面則帶負(fù)電，但是整個(gè)系統(tǒng)仍然是電中性的，這樣導(dǎo)致了金屬表面的電勢(shì)降低，半導(dǎo)體表面的電勢(shì)升高，形成了一個(gè)空間電荷區(qū)，圖 1.3(b)顯示了理想狀況下達(dá)到熱平衡時(shí)金屬與半導(dǎo)體材料接觸時(shí)的能帶圖。當(dāng)達(dá)到平衡狀態(tài)后，不再有電子的流動(dòng)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]具有86 mV/dec亞閾值擺幅的MoS2/SiO2場(chǎng)效應(yīng)晶體管（英文）[J]. 劉強(qiáng),蔡劍輝,何佳鑄,王翼澤,張棟梁,劉暢,任偉,俞文杰,劉新科,趙清太.  紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2017(05)
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博士論文
[1]不同濺射方法薄膜制備的理論計(jì)算及特性研究[D]. 于賀.電子科技大學(xué) 2013



本文編號(hào)：2905681