為您找到約93篇文章，耗時0.0145秒，數(shù)據(jù)庫總量為384,903,566篇。
您是不是要找：
-
71. 退火條件對4H-SiC/SiO2 MOS電容特性的影響研究
-
-
72. Si 2+ /He + 離子輻照對單晶4H-SiC力學(xué)性能的影響
-
-
73. Al 2 O 3 /4H-SiC MOS結(jié)構(gòu)制備及相關(guān)性能研究
-
-
74. 4H-SiC肖特基結(jié)紫外探測器的性能及可靠性研究
-
-
75. 超高壓4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生長
-
-
76. 4H-SiC MOS電容柵介質(zhì)經(jīng)NO退火電流導(dǎo)通機(jī)理研究
-
-
77. 一種4H-SiC基MIS SBD高溫氣敏傳感器的研究
-
-
78. 一種應(yīng)用于脈沖功率領(lǐng)域的4H-SiC GTO晶閘管的設(shè)計
-
-
79. 寬帶隙半導(dǎo)體4H-SiC核輻射探測器的設(shè)計與仿真
-
-
80. 4H-SiC平面型和溝槽型MOSFET高低溫下的特性（英文）
-
