【摘要】：本文對(duì)進(jìn)行NO退火和非NO退火的SiC MOS電容的柵泄漏電流的導(dǎo)通機(jī)理進(jìn)行了分析,研究表明在高場(chǎng)下經(jīng)過(guò)NO退火和未經(jīng)過(guò)NO退火的樣品的柵泄露電流都由Fowler-Nordheim(FN)隧穿決定,經(jīng)過(guò)NO退火的勢(shì)壘高度為2.67eV,而未經(jīng)過(guò)NO退火的樣品勢(shì)壘高度為2.54eV,勢(shì)壘高度的增加說(shuō)明了氮化的作用.在中度電場(chǎng)區(qū)域,通過(guò)擬合分析發(fā)現(xiàn)此區(qū)域的柵泄漏電流主要由Poole-Frenkel發(fā)射(PF)決定,并不受陷阱輔助隧穿trap assisted tunneling(TAT)的影響.同時(shí)C-V特性也明顯看出NO退火對(duì)界面質(zhì)量的影響.
[Abstract]:In this paper, the conduction mechanism of gate leakage current of SiC MOS capacitor annealed by NO and non-NO annealing is analyzed. It is shown that the gate leakage current of samples annealed by NO and not annealed by NO in high field is determined by Fowler-Nordheim (FN) tunneling. The barrier height of the sample annealed by NO is 2.67 EV, while that of the sample without NO annealing is 2.54 EV. The increase of the barrier height indicates the effect of nitridation. In the middle electric field region, it is found that the gate leakage current in this region is mainly determined by Poole-Frenkel emission (PF), and is not affected by trap assisted tunneling (TAT). At the same time, the influence of NO annealing on the interface quality is also obvious.
【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金資助項(xiàng)目(JJ0500142501);國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目(JJ0200122502)
【分類(lèi)號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：2281849