發(fā)布時間：2018-01-08 11:31

  本文關鍵詞：超高壓4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生長　出處：《電力電子技術》2017年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：介紹偏晶向4H-SiC襯底上化學氣相沉積(CVD)外延生長及其競位摻雜方法,使用"熱壁"CVD外延生長系統(tǒng),在4英寸4°偏角n~+型4H-SiC襯底上進行了p型4H-SiC外延層及p型絕緣柵雙極型晶體管(p-IGBT)器件用p~-n~+結構材料生長,利用Candela CS920表征了100μm厚p型4H-SiC外延層表面缺陷及結構缺陷,典型表面缺陷為三角形缺陷和胡蘿卜缺陷,3種結構缺陷分別是基晶面位錯(BPD)、三角形肖克利型層錯(SSF)和條形層錯(BSF)。微波光電導衰退法(μ-PCD)測試表明,100μm厚p型4H-SiC外延層載流子壽命為2.29μs,采用二次離子質(zhì)譜(SIMS)測試方法分析了不同鋁(Al)摻雜濃度的深度分布,最高Al摻雜濃度為2×10~(19)cm~(-3)。
[Abstract]:This paper introduces the epitaxial growth and its doping method of chemical vapor deposition (CVD) on monotectic 4H-SiC substrates. The "hot-wall" CVD epitaxial growth system is used. P-type 4H-SiC epitaxial layer and p-type insulated gate bipolar transistor (p-IGBT) were fabricated on 4in 4 擄bias n- type 4H-SiC substrate. The device is grown with pn-n~ structure material. The surface defects and structural defects of 100m thick p-type 4H-SiC epitaxial layer were characterized by Candela CS920. The typical surface defects were triangle defects and carrot defects. The three structural defects are basal plane dislocation (BPD), triangular Shockley stacking fault (SSF) and stripe stacking fault (BSF). The carrier lifetime of 100 渭 m thick p-type 4H-SiC epitaxial layer is 2.29 渭 s. The depth distribution of different Al doped concentration is analyzed by secondary ion mass spectrometry (SIMS). The highest Al doping concentration is 2 脳 10 ~ (10) C ~ (19) C ~ (-1) C ~ (-1).
【作者單位】： 東莞市天域半導體科技有限公司;中國科學院半導體研究所;
【基金】：國家重點研發(fā)計劃(2016YFB0400402,2016YFB-0400901)~~
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： l引言傳統(tǒng)Si功率半導體性能己接近其理論極限,功率性能無提升空間。SiC半導體材料以其獨特的優(yōu)異性能,如禁帶寬度大、臨界雪崩擊穿電場高、熱導率高等,受到廣泛關注。因此使用SiC半導體材料可制造與Si半導體類型及結構相同的功率器件,特別是性能更加突出的高壓/超高壓M0SFETW

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本文編號：1396938