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631. 阱區(qū)結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底GaN基LED器件光電性能影響的研究
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632. GaN基FP-HEMT器件的新結(jié)構(gòu)與解析模型研究
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633. 提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測GaN HEMT結(jié)溫準(zhǔn)確度的方法
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634. GaN基紫外LED多量子阱勢(shì)阱層材料生長條件的研究
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635. 不同轉(zhuǎn)移工藝制備的垂直結(jié)構(gòu)Si襯底GaN基LED光衰研究
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636. 不同插入層對(duì)抑制Mg摻雜p-GaN的記憶效應(yīng)
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637. 第三代半導(dǎo)體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)
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638. 圖形化藍(lán)寶石襯底形貌對(duì)GaN基LED出光性能的影響
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639. 應(yīng)變及摻雜對(duì)GaN及InN光電性質(zhì)影響的第一性原理研究
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640. 反應(yīng)動(dòng)力學(xué)參數(shù)變化對(duì)MOVPE生長GaN的反應(yīng)路徑模擬的影響
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