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441. 共源極電感對Si
C
MOSFET開關(guān)損耗影響的研究
442. 寄生參數(shù)對Si
C
MOSFET柵源極電壓影響的研究
443. 高壓Si
C
BJT在脈沖功率領(lǐng)域的快速驅(qū)動(dòng)電路研究
444. Si
C
輕量化主鏡液壓whiffletree支撐系統(tǒng)的改進(jìn)
445. 大口徑Si
C
主鏡主動(dòng)支撐研究及促動(dòng)器設(shè)計(jì)
446. 4m口徑的Si
C
主鏡翻轉(zhuǎn)裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與分析
447. Si
C
纖維增強(qiáng)鈦基復(fù)合材料的拉曼光譜研究
448. 梯度摻雜對Si
C
LTT短基區(qū)少子輸運(yùn)增強(qiáng)研究
449. 多管并聯(lián)Si
C
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路串?dāng)_抑制方法
450. 利用顯微喇曼光譜進(jìn)行Si
C
單晶片應(yīng)力分析
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