發(fā)布時間：2018-01-12 23:17

  本文關(guān)鍵詞：多管并聯(lián)SiC MOSFET驅(qū)動電路串擾抑制方法　出處：《電力電子技術(shù)》2017年09期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：為解決大功率高頻串聯(lián)諧振逆變器中多管并聯(lián)碳化硅(SiC)金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)驅(qū)動電路存在的串擾問題,分析了驅(qū)動電路串擾問題產(chǎn)生的機理和常用驅(qū)動串擾抑制方法,優(yōu)化了驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和器件參數(shù),設(shè)計了一種具有串擾抑制作用的多管并聯(lián)SiC MOSFET驅(qū)動電路。搭建了一臺SiC MOSFET高頻H橋串聯(lián)諧振逆變電源樣機,對驅(qū)動電路進行了相關(guān)測試,驗證了所設(shè)計的驅(qū)動電路可有效抑制串擾。
[Abstract]:In order to solve the high-power high-frequency series resonant inverter in parallel multi silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) crosstalk circuit has driven, analyzes the mechanism of driving circuit crosstalk and common driving interference suppression methods, optimization of the drive circuit structure and parameters, a crosstalk suppression effect multiple parallel SiC MOSFET drive circuit design. Build a SiC MOSFET high frequency H bridge series resonant inverter prototype, the drive circuit of the relevant test, verify the design of the driving circuit can effectively suppress the crosstalk.

【作者單位】： 保定四方三伊電氣有限公司;華北電力大學電力工程系;
【基金】：河北省重大科技成果轉(zhuǎn)化項目(15044503Z)~~
【分類號】：TN386
【正文快照】： ,i叫·丨. .*l引言近年來,隨著現(xiàn)代電力電子產(chǎn)品在容量和頻率方面的不斷提高,硅功率器件耐壓低、損耗大和載流量小等特性對其發(fā)展產(chǎn)生了嚴重制約。作為一種新型寬禁帶半導體材料,SiC功率器件因其出色的高頻高壓等特性,被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電力電子產(chǎn)品中[1]。大功率固態(tài)高頻感應(yīng)

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