發(fā)布時(shí)間：2017-11-26 06:25

  本文關(guān)鍵詞：共源極電感對SiC MOSFET開關(guān)損耗影響的研究

  更多相關(guān)文章： 共源極電感 開關(guān)損耗 碳化硅(SiC)MOSFET

【摘要】：共源極電感同時(shí)存在于功率MOSFET的功率回路和門極驅(qū)動回路中,影響器件的開關(guān)特性和開關(guān)損耗。共源極電感的影響將隨著器件開關(guān)速度和開關(guān)頻率的提高而顯得更為嚴(yán)重。碳化硅(SiC)MOSFET相對于硅器件的材料優(yōu)勢使其可以實(shí)現(xiàn)更快速的開關(guān)過程,共源極電感的影響更加需要考慮。首先分析了現(xiàn)有功率開關(guān)損耗測量方法的優(yōu)劣,然后選用一種通過測量結(jié)溫升和熱阻的方法來測量SiC MOSFET的開關(guān)損耗,最后搭建了一臺輸出功率1kW、輸出電壓800V的全碳化硅Boost樣機(jī),從100kHz到500kHz進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)不含共源極電感時(shí)SiC MOSFET的開通損耗、關(guān)斷損耗均有所減小。
【作者單位】： 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【分類號】：TN386
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本文編號：1228889