發(fā)布時間：2018-01-11 08:07

  本文關(guān)鍵詞：梯度摻雜對SiC LTT短基區(qū)少子輸運增強研究　出處：《電力電子技術(shù)》2017年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：通過理論分析與數(shù)值仿真的方法對具有梯度摻雜短基區(qū)的10kV 4H-SiC光觸發(fā)晶閘管(LTT)進(jìn)行了研究。短基區(qū)的施主雜質(zhì)呈梯度分布,未耗盡時會在縱向產(chǎn)生感生電場,使短基區(qū)的少子輸運從單一的擴散方式改善為擴散與漂移相結(jié)合的方式,促進(jìn)短基區(qū)少子的縱向輸運。仿真結(jié)果顯示,梯度摻雜短基區(qū)具有更強的少子傳輸效率,相比于常規(guī)SiC LTT,具有梯度摻雜短基區(qū)的SiC LTT開通延遲時間縮短了36%。
[Abstract]:The 10kV 4H-SiC light-triggered thyristor LTT with gradient doped short base region is studied by theoretical analysis and numerical simulation. The donor impurity in the short base region is gradient distribution. The induced electric field will be generated in the longitudinal direction when the short base region is not exhausted, and the minority carrier transport in the short base region will be improved from a single diffusion mode to a combination of diffusion and drift mode, and the longitudinal transport of the minority carrier in the short base region will be promoted. The simulation results show that. Gradient doped short base region has stronger minority carrier transmission efficiency. Compared with conventional SiC, the opening delay time of SiC LTT with gradient doping short base region is shortened by 36%.
【作者單位】： 西安理工大學(xué)自動化與信息工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51677149)~~
【分類號】：TN34
【正文快照】： 引曰作為第3代半導(dǎo)體材料的代表,SiC具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界雪崩擊穿電場強度高、飽和載流子漂移速度大、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點,隨著材料與器件工藝的日趨成熟,SiC高壓大功率器件的研宄與應(yīng)用己取得迅速發(fā)展SiC晶閘管作為SiC高壓器件中的一種,具有阻斷電壓高、通態(tài)壓降低

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本文編號：1408737