本文關(guān)鍵詞： 顯微喇曼光譜 H-SiC 單晶片 應(yīng)力分析 橫向折疊光學(xué)(TO)模　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為了對4H-SiC單晶片進(jìn)行無損應(yīng)力表征,采用顯微喇曼光譜儀測量了3英寸(1英寸=2.54 cm)和4英寸4H-SiC單晶片的顯微喇曼光譜,并依據(jù)喇曼頻移峰的移動(dòng)及喇曼頻移峰的半高寬(FWHM)分析SiC單晶片中呈現(xiàn)的應(yīng)力類型和應(yīng)力大小。在顯微喇曼光譜中,4H-SiC單晶片的橫向折疊光學(xué)(TO)模為表征單晶片應(yīng)力的特征峰,其無應(yīng)力狀態(tài)的標(biāo)準(zhǔn)峰位值為777 cm~(-1)。對4H-SiC單晶片進(jìn)行應(yīng)力分析,發(fā)現(xiàn)3英寸和4英寸SiC單晶片內(nèi)喇曼頻移峰均發(fā)生藍(lán)移和紅移,表明單晶片內(nèi)同時(shí)存在張應(yīng)力和壓應(yīng)力。相比生長初期的樣品,晶體生長末期的應(yīng)力值有不同程度的升高,同時(shí)單晶片的喇曼頻移峰的FWHM變窄,表明生長末期的單晶片結(jié)晶質(zhì)量高于生長初期。
[Abstract]:In order to characterize the nondestructive stress of 4H-SiC single crystal wafer, the microRaman spectra of 4H-SiC single crystal wafer and 4H-SiC single crystal wafer were measured by microRaman spectrometer (3 inch / 1 inch / 2.54 cm) and 4 inch / 4H-SiC single crystal wafer respectively. According to the shift of Raman shift peak and the half maximum width of Raman shift peak FWHM, the stress types and stress size in SiC single crystal wafer were analyzed. The transverse folding optical TOV mode of 4H-SiC single crystal wafer is the characteristic peak of the single crystal sheet stress. The standard peak value of its stress-free state is 777 cm ~ (-1) ~ (-1). The stress analysis of 4H-SiC single crystal wafer is carried out. It was found that both blue shift and red shift occurred in the Raman shift peaks of 3-inch and 4-inch SiC single crystals, which indicated that there were both tensile and compressive stresses in the monocrystalline wafers, compared with the samples at the initial growth stage. At the end of crystal growth, the stress value increased in varying degrees, and the FWHM of Raman shift peak of single crystal wafer became narrower, indicating that the crystal quality of single crystal wafer at the end of growth was higher than that at the beginning of growth.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【分類號】：TN304.24
【正文快照】： 0引言碳化硅(Si C)是重要的間接帶隙半導(dǎo)體之一,具有優(yōu)異的物理特性和電學(xué)特性。Si C電子器件在高溫、高頻和大功率等特殊領(lǐng)域都具有很重要的應(yīng)用價(jià)值[1-2]。由于物理氣相傳輸(physicalvapor transport,PVT)法Si C單晶生長過程是在2 000℃以上的高溫環(huán)境中進(jìn)行,且Si C單晶與石

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本文編號：1457647