本文關(guān)鍵詞：寄生參數(shù)對SiC MOSFET柵源極電壓影響的研究

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【摘要】：為分析寄生參數(shù)對開關(guān)過程中碳化硅(Si C)MOSFET柵源極電壓的影響,首先建立了基于同步Buck變換器的Si C MOSFET開通和關(guān)斷過程的數(shù)學(xué)模型;然后通過仿真和實驗結(jié)果對比,驗證了寄生參數(shù)帶來的影響;最后分析了開關(guān)過程中各寄生參數(shù)對Si C MOSFET柵源極電壓的影響。
【作者單位】： 北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【分類號】：TN386
【正文快照】： 0引言新型寬禁帶半導(dǎo)體器件碳化硅(Silicon Carbide,Si C)MOSFET以其高速開關(guān)能力、低通態(tài)電阻、高結(jié)溫、高耐壓等特點[1-4]得到廣泛應(yīng)用。其優(yōu)良的開關(guān)性能有利于減小開關(guān)損耗及死區(qū)時間,提高開關(guān)頻率,減小變換器中無源元件的體積,有效提高變換器的功率密度[5-8]。而隨著開關(guān)

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