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431. 強激光下4H—SiC晶體電子特性的第一性原理研究
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432. SiC襯底GaN基材料MOCVD生長及HEMT器件研制
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433. 100kHz低頻功放SiC MOSFET串?dāng)_分析與驅(qū)動設(shè)計
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434. pH值對SiC單晶表面潤濕性及電學(xué)性質(zhì)的影響
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435. SIC功率器件特性及其在PFC電路中的應(yīng)用研究
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436. SIC思維下的事故致因模型構(gòu)建與實證分析
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437. 微波燒結(jié)制備SiC增強Al基復(fù)合材料的工藝研究
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438. 釹鐵硼材料表面磁控濺射制備SiC薄膜的防護研究
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439. 基于混沌檢測方法的Ni摻雜SiC氣敏型器件研究
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440. 高壓大功率SiC固態(tài)功率控制器的仿真與設(shè)計
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