釹鐵硼材料表面磁控濺射制備SiC薄膜的防護(hù)研究
發(fā)布時間:2020-02-16 05:44
【摘要】:用磁控濺射法在燒結(jié)釹鐵硼表面沉積了SiC薄膜和AIN/SiC薄膜,將鍍膜后的試樣在不同的溫度中進(jìn)行退火處理。本實驗采用XRD、AFM、SEM、電化學(xué)工作站、超高矯頑力永磁脈沖測試儀、60Co輻照源等對試樣進(jìn)行了測試,分析了退火溫度對鍍膜NdFeB試樣的結(jié)構(gòu)及其磁學(xué)性能的影響,同時研究了其在酸性、中性、堿性溶液中的耐腐蝕性能。最后研究了鍍膜釹鐵硼在不同輻照強(qiáng)度下的性能,具體內(nèi)容如下:第一章闡述了釹鐵硼稀土永磁材料的發(fā)展歷史、成分、結(jié)構(gòu)、制備方法以及表面防護(hù)手段。綜述了本課題的背景、主要內(nèi)容和創(chuàng)新點。第二章介紹了磁控濺射工作機(jī)理以及薄膜的生長和制備過程,此外還介紹了XRD、AFM、SEM、電化學(xué)性能等多種測試技術(shù)。第三章討論了在釹鐵硼基底上制備SiC薄膜及其退火工藝。利用XRD、 AFM、SEM等對薄膜的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行分析,探討了不同退火溫度對鍍有SiC薄膜的釹鐵硼試樣的結(jié)構(gòu)和性能影響。并研究鍍膜NdFeB在3.5%NaCl溶液中的耐腐蝕,動電位極化曲線結(jié)果發(fā)現(xiàn),未鍍膜NdFeB試樣的自腐蝕電流密度為1.37×10-6A.cm-2左右,而鍍膜未退火試樣的自腐蝕電流密度約為1.54×10-8A.cm-2。結(jié)果表明在快速且破壞性強(qiáng)的腐蝕情況下,鍍膜試樣抗腐能力比未鍍膜好。第四章研究了在釹鐵硼基底上,制備A1N薄膜作為中間過渡層來提高SiC薄膜與釹鐵硼基體之間的結(jié)合力。對比在釹鐵硼基底上鍍單層SiC薄膜與雙層AIN/SiC薄膜試樣的結(jié)構(gòu)、形貌,磁學(xué)性能以及耐腐蝕性能。鍍有AIN/SiC和SiC薄膜的釹鐵硼在3.5%NaCl,20%和0.1 mol/L的H28O4溶液中的耐腐蝕性能用動電位極化曲線來表征。結(jié)果表明,AIN/SiC和SiC薄膜可以顯著提高釹鐵硼的耐腐蝕性,鍍有AIN/SiC薄膜比SiC薄膜有更好的性能。第五章對試樣用60Co輻照源進(jìn)行γ射線輻照,輻照劑量為200KGy、2MGy。研究了不同的γ輻照強(qiáng)度對試樣的結(jié)構(gòu)、磁學(xué)性能以及耐腐蝕性能影響。第六章總結(jié)與展望
【學(xué)位授予單位】:合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TB306
本文編號:2580032
【學(xué)位授予單位】:合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TB306
【參考文獻(xiàn)】
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1 楊德明;SiC半導(dǎo)體材料抗輻照特性研究[D];長春理工大學(xué);2014年
,本文編號:2580032
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