發(fā)布時(shí)間：2019-09-29 16:03

【摘要】：采用液滴捕捉技術(shù),測(cè)量了不同pH值下SiC單晶-水界面間的三相接觸角,并通過(guò)理論計(jì)算,研究了不同pH值對(duì)SiC單晶表面張力、鋪展系數(shù)、表面電勢(shì)和表面電荷密度的影響。結(jié)果表明,水溶液在SiC單晶表面的三相接觸角隨著溶液pH值的增加先增大后降低,最大接觸角出現(xiàn)在pH 5~6之間;在強(qiáng)酸性和強(qiáng)堿性環(huán)境中,SiC單晶表面潤(rùn)濕性較好,尤其在強(qiáng)堿性環(huán)境下,其表面潤(rùn)濕性能最好。由理論計(jì)算可知,當(dāng)pH5時(shí),SiC單晶表面電勢(shì)和表面電荷密度為正,且其值隨著溶液pH值的減少而增加;當(dāng)pH6時(shí),SiC單晶表面電勢(shì)和表面電荷密度為負(fù),且其絕對(duì)值隨著溶液pH值的增加而增加。
【作者單位】： 江南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51305166,51675232) 江蘇省自然科學(xué)基金(BK20130143)
【分類號(hào)】：TN304.24

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本文編號(hào)：2544018