【摘要】：采用液滴捕捉技術(shù),測量了不同pH值下SiC單晶-水界面間的三相接觸角,并通過理論計算,研究了不同pH值對SiC單晶表面張力、鋪展系數(shù)、表面電勢和表面電荷密度的影響。結(jié)果表明,水溶液在SiC單晶表面的三相接觸角隨著溶液pH值的增加先增大后降低,最大接觸角出現(xiàn)在pH 5~6之間;在強酸性和強堿性環(huán)境中,SiC單晶表面潤濕性較好,尤其在強堿性環(huán)境下,其表面潤濕性能最好。由理論計算可知,當pH5時,SiC單晶表面電勢和表面電荷密度為正,且其值隨著溶液pH值的減少而增加;當pH6時,SiC單晶表面電勢和表面電荷密度為負,且其絕對值隨著溶液pH值的增加而增加。
【作者單位】： 江南大學機械工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(51305166,51675232) 江蘇省自然科學基金(BK20130143)
【分類號】：TN304.24

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本文編號：2544018