【摘要】：為了研究4H—SiC晶體在強激光輻照下電子特性及其變化,采用基于密度泛函微擾理論的第一性原理贗勢的方法,對纖鋅礦4H—SiC晶體在強激光照射下的電子特性的變化進行了理論分析和實驗驗證。結(jié)果表明,電子溫度T_e在0eV~2.75eV范圍內(nèi)時,4H—SiC仍然是間接帶隙的半導體晶體;當電子溫度T_e升高達到并超過3.0eV以上時,4H—SiC變?yōu)橹苯訋兜陌雽w晶體;電子溫度T_e在0eV~2.0eV變化時,帶隙值隨電子溫度升高而增大;電子溫度T_e在2.0eV~3.5eV變化時,帶隙值隨電子溫度T_e的升高而迅速地減小;當電子溫度T_e高于3.5eV以后,帶隙已經(jīng)消失而呈現(xiàn)出金屬特性。該研究對制作4H—SiC晶體特殊功能電子元件是有幫助的。
[Abstract]:In order to study the electron characteristics and their changes of 4H-SiC crystal irradiated by intense laser, the first-principle pseudopotential method based on density functional perturbation theory is used. The changes of electronic properties of wurtzite 4H-SiC crystal under intense laser irradiation are theoretically analyzed and verified experimentally. The results show that 4H-SiC is still a semiconductor crystal with indirect band gap when the electron temperature T _ (th) is in the range of 0eV~2.75eV, and 4H-SiC becomes a semiconductor crystal with direct band gap when the electronic temperature T _ (th) is higher than 3.0eV. The electronic temperature T _ e increases with the increase of electron temperature when 0eV~2.0eV is changed, and the band gap value decreases rapidly with the increase of electronic temperature T _ e when 2.0eV~3.5eV changes. When the electron temperature T _ e is higher than 3.5eV, the band gap has disappeared and the metal properties have been observed. This study is helpful for the fabrication of special function electronic components of 4H-SiC crystal.
【作者單位】： 四川民族學院數(shù)學系;四川大學原子與分子物理研究所;
【基金】：國家科技支撐計劃資助項目(2014GB111001,2014GB125000) 四川省教育廳自然科學基金重點資助項目(16ZA0363)
【分類號】：O469

【參考文獻】

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