發(fā)布時(shí)間：2018-12-12 02:29

【摘要】：為了研究4H—SiC晶體在強(qiáng)激光輻照下電子特性及其變化,采用基于密度泛函微擾理論的第一性原理贗勢(shì)的方法,對(duì)纖鋅礦4H—SiC晶體在強(qiáng)激光照射下的電子特性的變化進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。結(jié)果表明,電子溫度T_e在0eV~2.75eV范圍內(nèi)時(shí),4H—SiC仍然是間接帶隙的半導(dǎo)體晶體;當(dāng)電子溫度T_e升高達(dá)到并超過(guò)3.0eV以上時(shí),4H—SiC變?yōu)橹苯訋兜陌雽?dǎo)體晶體;電子溫度T_e在0eV~2.0eV變化時(shí),帶隙值隨電子溫度升高而增大;電子溫度T_e在2.0eV~3.5eV變化時(shí),帶隙值隨電子溫度T_e的升高而迅速地減小;當(dāng)電子溫度T_e高于3.5eV以后,帶隙已經(jīng)消失而呈現(xiàn)出金屬特性。該研究對(duì)制作4H—SiC晶體特殊功能電子元件是有幫助的。
[Abstract]:In order to study the electron characteristics and their changes of 4H-SiC crystal irradiated by intense laser, the first-principle pseudopotential method based on density functional perturbation theory is used. The changes of electronic properties of wurtzite 4H-SiC crystal under intense laser irradiation are theoretically analyzed and verified experimentally. The results show that 4H-SiC is still a semiconductor crystal with indirect band gap when the electron temperature T _ (th) is in the range of 0eV~2.75eV, and 4H-SiC becomes a semiconductor crystal with direct band gap when the electronic temperature T _ (th) is higher than 3.0eV. The electronic temperature T _ e increases with the increase of electron temperature when 0eV~2.0eV is changed, and the band gap value decreases rapidly with the increase of electronic temperature T _ e when 2.0eV~3.5eV changes. When the electron temperature T _ e is higher than 3.5eV, the band gap has disappeared and the metal properties have been observed. This study is helpful for the fabrication of special function electronic components of 4H-SiC crystal.
【作者單位】： 四川民族學(xué)院數(shù)學(xué)系;四川大學(xué)原子與分子物理研究所;
【基金】：國(guó)家科技支撐計(jì)劃資助項(xiàng)目(2014GB111001,2014GB125000) 四川省教育廳自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目(16ZA0363)
【分類號(hào)】：O469

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本文編號(hào)：2373725