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391. 片上傳輸線模型與GaN HEMT小信號模型研究
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392. AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)對Si基GaN材料性能的影響
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393. 單體增強型GaN驅(qū)動電路設(shè)計及穩(wěn)定性研究
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394. GaN基LED歐姆接觸的第一性原理研究與設(shè)計
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395. GaN基和ZnTe半導(dǎo)體材料的制備和光學(xué)特性研究
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396. AlGaN/GaN肖特基勢壘二極管工藝制備與結(jié)構(gòu)優(yōu)化
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397. AlGaN/GaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)HEMT器件及特性研究
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398. 新型高耐壓垂直型GaN基功率器件的研究與設(shè)計
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399. InGaN/GaN基納米柱LED的制備及光學(xué)特性研究
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400. 毫米波GaN HEMT功率器件準(zhǔn)物理大信號模型研究
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