毫米波GaN HEMT功率器件準(zhǔn)物理大信號模型研究
發(fā)布時間:2020-12-31 18:33
氮化鎵(GaN)高電子遷移率(High Electron Mobility Transistor,HEMT)晶體管具有工作頻率高、輸出功率密度大、功率效率高等特點(diǎn),已經(jīng)廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、衛(wèi)星、5G等通信系統(tǒng)中。準(zhǔn)確、簡單、可縮放、物理意義清晰的器件模型對電路設(shè)計、器件優(yōu)化都至關(guān)重要。工作在W波段(75~110 GHz)的GaNHEMT器件,由于寄生效應(yīng)復(fù)雜,模型參數(shù)變得不易提取,模型的高頻精度和縮放性都有待改進(jìn)。近幾年新興的GaN HEMT準(zhǔn)物理區(qū)域劃分(Quasi-Physical Zone Division,QPZD)模型具有參數(shù)少、準(zhǔn)確性高、物理意義明確等特點(diǎn),但模型的表達(dá)式和參數(shù)提取方面仍存在問題,顯著的短溝道效應(yīng)在模型中也缺乏考慮。因此,面對短溝道GaN HEMT器件的高頻應(yīng)用,以及對準(zhǔn)確、簡潔、物理意義明確的大信號模型的需求,建立可應(yīng)用到W波段、包含主要短溝道效應(yīng)的準(zhǔn)物理大信號模型具有重要意義。本文基于國產(chǎn)0.1μm工藝,對毫米波GaNHEMT功率器件的準(zhǔn)物理大信號模型進(jìn)行了深入研究:1.毫米波小信號模型研究。針對W波段小信號寄生效應(yīng)復(fù)雜的問題,提出了新的模型等效電路和參數(shù)提...
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:134 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1?GaN器件在通信中的應(yīng)用??
能,提高芯片的市場競爭力。??對于第三代半導(dǎo)體器件之一的GaN?HEMT功率器件,在毫米波頻段,由于??器件溝道長度變小引起的短溝道效應(yīng)、高頻引起的寄生效應(yīng),使傳統(tǒng)的低頻長溝??道模型在毫米波頻段,尤其是W波段(75 ̄110?GHz)難以應(yīng)用,使用傳統(tǒng)低頻??模型所做的電路設(shè)計也跟實(shí)際測試有較大偏差。由于當(dāng)前對于高頻、短溝道器件,??仍然缺乏較準(zhǔn)確又簡潔的的大信號模型,所以研宄適用頻率到W波段的GaN??HEMT功率器件模型具有重要的意義。??器件1?|模型丨?|電路??H??圖1.2器件灌型-電路之間的關(guān)系??在眾多GaN?HEMT的大信號模型中,經(jīng)驗(yàn)基模型由于其靈活性、準(zhǔn)確性,??得到了廣泛的使用;物理基模型由于其物理意義明確,以及模型對微波功率管和??2??
,??使模型更適用于GaN器件的建模。??2000年,德國斯圖加特大學(xué)Chigaeva等人提出了?14元件小信號等效電路??模型,是低頻建模中應(yīng)用較為廣泛的模型[82]。作者提出,相比于GaAsHEMT器??件,GaNHEMT導(dǎo)帶不連續(xù)性更大,所以為了更準(zhǔn)確的對寄生電阻進(jìn)行提取,需??要通過在柵極加較高的前向偏置電壓,來對SU的容性進(jìn)行抑制。??2005年,來自德國卡塞爾大學(xué)Kompa團(tuán)隊的Jamdal提出了?GaN?HEMT經(jīng)??典的包含22個元件的小信號等效電路模型[83],如圖1.3所示。論文中首次引入??了電容參數(shù)CW,,,CM,,C_,用于模擬空氣橋引入的極間電容,以及電容參數(shù)??G^/,G#/,用于描述柵極的漏電。在寄生電容的提取方面,通過全局優(yōu)化算法,??進(jìn)一步提高了模型的準(zhǔn)確性。同年,同樣是來自Kompa團(tuán)隊的Zamudio利用器??件的尺寸計算出了寄生電容的估計值,并且通過優(yōu)化算法確定了寄生電容的最優(yōu)??解。???|i????^???t?Intrinsic?FET??g——?r.???U?〇??丄cv??Cpga?==?.:?R/?:?Cpar-?CpA;--:????K---J??O??1????o??S?S??圖1.3經(jīng)典的22參數(shù)小信號等效電路模型網(wǎng)??2006年,意大利的Crupi等人提出了通過多偏置對小信號模型參數(shù)進(jìn)行提取??方法[84]。因?yàn)椋樱詈停樱玻苍跂艠O前向偏置的條件下,會較為明顯的受到電容效應(yīng)??的影響,所以要在小信號等效電路中加入柵極電容和溝道電容。??2008年,都柏林大學(xué)的Brady等人在輸出點(diǎn)到。笊弦肓藭r間常數(shù)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件新進(jìn)展[J]. 郝躍. 科技導(dǎo)報. 2019(03)
[2]Ka波段GaN HEMT功率器件[J]. 廖龍忠,張力江,孫希國,何先良,崔玉興,付興昌. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(07)
[3]微波、毫米波GaN HEMT與MMIC的新進(jìn)展[J]. 趙正平. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(01)
[4]0.15μm柵長Ka波段GaN功率HEMT器件[J]. 周建軍,董遜,孔岑,孔月嬋,李忠輝,陳堂勝,陳辰. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2012(01)
[5]含有Al組分階變AlGaN過渡層的Si基AlGaN/GaN HEMT[J]. 倪金玉,董遜,周建軍,孔岑,李忠輝,李亮,彭大青,張東國,陸海燕,耿習(xí)嬌. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2011(06)
[6]Si襯底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT[J]. 馮志宏,尹甲運(yùn),袁鳳坡,劉波,梁棟,默江輝,張志國,王勇,馮震,李效白,楊克武,蔡樹軍. 半導(dǎo)體學(xué)報. 2007(12)
[7]Si襯底GaN基材料及器件的研究[J]. 滕曉云,劉彩池,郝秋艷,趙麗偉,張帷. 半導(dǎo)體技術(shù). 2006(02)
[8]藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN功率HEMTs研制[J]. 邵剛,劉新宇,和致經(jīng),劉鍵,魏珂,陳曉娟,吳德馨. 電子器件. 2004(03)
[9]跨導(dǎo)為220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT[J]. 張小玲,呂長志,謝雪松,何焱,侯英梁,馮士維,李志國,曾慶明. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2004(02)
[10]Au-AlGaN/GaN HFET研制與器件特性[J]. 張錦文,閆桂珍,張?zhí)?王瑋,寧寶俊,武國英. 半導(dǎo)體學(xué)報. 2002(04)
本文編號:2950108
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:134 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1?GaN器件在通信中的應(yīng)用??
能,提高芯片的市場競爭力。??對于第三代半導(dǎo)體器件之一的GaN?HEMT功率器件,在毫米波頻段,由于??器件溝道長度變小引起的短溝道效應(yīng)、高頻引起的寄生效應(yīng),使傳統(tǒng)的低頻長溝??道模型在毫米波頻段,尤其是W波段(75 ̄110?GHz)難以應(yīng)用,使用傳統(tǒng)低頻??模型所做的電路設(shè)計也跟實(shí)際測試有較大偏差。由于當(dāng)前對于高頻、短溝道器件,??仍然缺乏較準(zhǔn)確又簡潔的的大信號模型,所以研宄適用頻率到W波段的GaN??HEMT功率器件模型具有重要的意義。??器件1?|模型丨?|電路??H??圖1.2器件灌型-電路之間的關(guān)系??在眾多GaN?HEMT的大信號模型中,經(jīng)驗(yàn)基模型由于其靈活性、準(zhǔn)確性,??得到了廣泛的使用;物理基模型由于其物理意義明確,以及模型對微波功率管和??2??
,??使模型更適用于GaN器件的建模。??2000年,德國斯圖加特大學(xué)Chigaeva等人提出了?14元件小信號等效電路??模型,是低頻建模中應(yīng)用較為廣泛的模型[82]。作者提出,相比于GaAsHEMT器??件,GaNHEMT導(dǎo)帶不連續(xù)性更大,所以為了更準(zhǔn)確的對寄生電阻進(jìn)行提取,需??要通過在柵極加較高的前向偏置電壓,來對SU的容性進(jìn)行抑制。??2005年,來自德國卡塞爾大學(xué)Kompa團(tuán)隊的Jamdal提出了?GaN?HEMT經(jīng)??典的包含22個元件的小信號等效電路模型[83],如圖1.3所示。論文中首次引入??了電容參數(shù)CW,,,CM,,C_,用于模擬空氣橋引入的極間電容,以及電容參數(shù)??G^/,G#/,用于描述柵極的漏電。在寄生電容的提取方面,通過全局優(yōu)化算法,??進(jìn)一步提高了模型的準(zhǔn)確性。同年,同樣是來自Kompa團(tuán)隊的Zamudio利用器??件的尺寸計算出了寄生電容的估計值,并且通過優(yōu)化算法確定了寄生電容的最優(yōu)??解。???|i????^???t?Intrinsic?FET??g——?r.???U?〇??丄cv??Cpga?==?.:?R/?:?Cpar-?CpA;--:????K---J??O??1????o??S?S??圖1.3經(jīng)典的22參數(shù)小信號等效電路模型網(wǎng)??2006年,意大利的Crupi等人提出了通過多偏置對小信號模型參數(shù)進(jìn)行提取??方法[84]。因?yàn)椋樱詈停樱玻苍跂艠O前向偏置的條件下,會較為明顯的受到電容效應(yīng)??的影響,所以要在小信號等效電路中加入柵極電容和溝道電容。??2008年,都柏林大學(xué)的Brady等人在輸出點(diǎn)到。笊弦肓藭r間常數(shù)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件新進(jìn)展[J]. 郝躍. 科技導(dǎo)報. 2019(03)
[2]Ka波段GaN HEMT功率器件[J]. 廖龍忠,張力江,孫希國,何先良,崔玉興,付興昌. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(07)
[3]微波、毫米波GaN HEMT與MMIC的新進(jìn)展[J]. 趙正平. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(01)
[4]0.15μm柵長Ka波段GaN功率HEMT器件[J]. 周建軍,董遜,孔岑,孔月嬋,李忠輝,陳堂勝,陳辰. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2012(01)
[5]含有Al組分階變AlGaN過渡層的Si基AlGaN/GaN HEMT[J]. 倪金玉,董遜,周建軍,孔岑,李忠輝,李亮,彭大青,張東國,陸海燕,耿習(xí)嬌. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2011(06)
[6]Si襯底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT[J]. 馮志宏,尹甲運(yùn),袁鳳坡,劉波,梁棟,默江輝,張志國,王勇,馮震,李效白,楊克武,蔡樹軍. 半導(dǎo)體學(xué)報. 2007(12)
[7]Si襯底GaN基材料及器件的研究[J]. 滕曉云,劉彩池,郝秋艷,趙麗偉,張帷. 半導(dǎo)體技術(shù). 2006(02)
[8]藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN功率HEMTs研制[J]. 邵剛,劉新宇,和致經(jīng),劉鍵,魏珂,陳曉娟,吳德馨. 電子器件. 2004(03)
[9]跨導(dǎo)為220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT[J]. 張小玲,呂長志,謝雪松,何焱,侯英梁,馮士維,李志國,曾慶明. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2004(02)
[10]Au-AlGaN/GaN HFET研制與器件特性[J]. 張錦文,閆桂珍,張?zhí)?王瑋,寧寶俊,武國英. 半導(dǎo)體學(xué)報. 2002(04)
本文編號:2950108
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