【摘要】：Si襯底與GaN之間較大的晶格失配和熱失配引起的張應力使GaN外延層極易產生裂紋,如何補償GaN所受到的張應力是進行Si基GaN外延生長面臨的首要問題。采用金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)技術在4英寸(1英寸=2.54 cm)Si(111)襯底上制備了GaN外延材料并研究了不同AlGaN緩沖層結構對Si基GaN外延材料性能的影響,并采用高分辨X射線衍射儀(HRXRD)、原子力顯微鏡(AFM)、喇曼光譜以及光學顯微鏡對制備的GaN材料的性能進行了表征。采用3層AlGaN緩沖層結構制備了表面光亮、無裂紋的GaN外延材料,其(002)晶面半高寬為428 arcsec,表面粗糙度為0.194 nm。結果表明,采用3層AlGaN緩沖層結構可以有效地降低GaN材料的張應力和位錯密度,進而遏制表面裂紋的出現(xiàn),提高晶體質量。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第十三研究所;專用集成電路重點實驗室;
【分類號】：TN304

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本文編號：2541099