【摘要】：Si襯底與GaN之間較大的晶格失配和熱失配引起的張應(yīng)力使GaN外延層極易產(chǎn)生裂紋,如何補(bǔ)償GaN所受到的張應(yīng)力是進(jìn)行Si基GaN外延生長面臨的首要問題。采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)在4英寸(1英寸=2.54 cm)Si(111)襯底上制備了GaN外延材料并研究了不同AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)對Si基GaN外延材料性能的影響,并采用高分辨X射線衍射儀(HRXRD)、原子力顯微鏡(AFM)、喇曼光譜以及光學(xué)顯微鏡對制備的GaN材料的性能進(jìn)行了表征。采用3層AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)制備了表面光亮、無裂紋的GaN外延材料,其(002)晶面半高寬為428 arcsec,表面粗糙度為0.194 nm。結(jié)果表明,采用3層AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)可以有效地降低GaN材料的張應(yīng)力和位錯密度,進(jìn)而遏制表面裂紋的出現(xiàn),提高晶體質(zhì)量。
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;專用集成電路重點(diǎn)實驗室;
【分類號】：TN304

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 張金風(fēng);毛維;張進(jìn)城;郝躍;;The low-temperature mobility of two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures[J];Chinese Physics B;2008年07期

2 趙建芝;林兆軍;Corrigan T D;張宇;李惠軍;王占國;;Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2009年10期

3 孫再吉;;開發(fā)插入AlGaN層的InAlN/AlGaN/GaN FETs[J];半導(dǎo)體信息;2010年04期

4 任凡;郝智彪;王磊;汪萊;李洪濤;羅毅;;Effects of SiN_x on two-dimensional electron gas and current collapse of AlGaN/GaN high electron mobility transistors[J];Chinese Physics B;2010年01期

5 紀(jì)攀峰;劉乃鑫;魏同波;劉U，

本文編號：2541099