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31. Ti-RE（RE=Ce，Er，Tm，Y）和Ti-V-M（M=Nb，Si，Ta）體系的相圖熱力學(xué)研究
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32. 低溫GaN成核層MOCVD生長工藝對GaN外延薄膜影響的研究
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33. 用于GaN功率開關(guān)的低損耗高頻全GaN柵極驅(qū)動器
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34. 摻雜GaN和GaN/ZnO界面光電性質(zhì)的第一性原理研究
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35. 基于自支撐GaN和藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN MISHEMT器件對比
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36. 新型本征GaN帽層AlGaN/GaN HEMTs結(jié)構(gòu)設(shè)計及實驗研究
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37. 基于AlN和GaN形核層的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件對比
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38. Cas-GAN:一種基于GAN和強(qiáng)化學(xué)習(xí)的對話管理策略學(xué)習(xí)方法
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39. p-GaN帽層增強(qiáng)型GaN HEMT器件柵結(jié)構(gòu)與鈍化研究
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40. Novel high voltage RESURF Al GaN /GaN HEMT with charged buff
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