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1. AlGaN電子阻擋層對(duì)Si襯底GaN基綠光LED性能影響的研究
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2. AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)Si基GaN材料性能的影響
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3. Si基AlGaN/GaN增強(qiáng)型MIS-HFET閾值電壓調(diào)制技術(shù)研究
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4. InGaN/GaN界面對(duì)Si基GaN黃綠光LED性能影響的研究
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5. GaN/Si基綠光LED外延設(shè)計(jì)與效率提升研究
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6. Si襯底上GaN基LED外延材料的兩步法生長(zhǎng)
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7. 量子壘結(jié)構(gòu)對(duì)Si襯底GaN基綠光LED光電性能的影響
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8. Si襯底上GaN基近紫外LED的缺陷控制及能帶調(diào)控
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9. 不同轉(zhuǎn)移工藝制備的垂直結(jié)構(gòu)Si襯底GaN基LED光衰研究
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10. Si襯底上大功率GaN基LED的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與器件制備
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